しゅう せきかいろ しふ－くわい－ ［5］ 【集積回路】 〔integrated circuit〕
IC
読み方：アイシー
別名：集積回路，半導体集積回路
ICとは、回路素子をひとつのパッケージとしてまとめた回路のことである。1950年代にウィリアム・ショックレーやロバート・ノイス、ゴードン・ムーアらによって発明・製品化された。
ICは、半導体基板を土台として、ダイオードやトランジスタ、コンデンサ、抵抗などの回路素子を定着させ、それらを配線によって電気的につないでいる。集積方法によってモノシリックICやハイブリッドICなどに分類される。集積方法としては、当初はプリント基板に導線を差し込む挿入実装が行われていたが、最近では基板の表面に表面実装部品（SMD）と呼ばれる電子部品を接着する表面実装技術が普及している。
ICは、集積される素子の規模に応じて、LSI、VLSI、ULSI、などと区別されることがあった。しかし現在ではそのように呼び分けられることも少なくなっている。
集積回路(IC)
微小な半導体トランジスター(能動素子)やコンデンサー、抵抗(受動素子)を数ミリ角の小さなチップ(基板)上に多数配置し、印刷した配線でつないで、目的に合わせた複数の回路を一体に構成したものである。精密写真印刷の技術により同じものを同時に多数つくることが可能で、大量生産に向いている。使用するトランジスターによりバイポーラー型とMOS型があり、取り扱う信号の性質によりアナログ型、デジタル型がある。トランジスターそのものは数ミクロンのサイズに小さくなっており、1cm角のチップでは数百万個から1千万個を超えるトランジスターが集積されている。携帯電話機やコンピューターの急速な小型化にみられるように、情報通信の処理速度向上、電子制御機器の発展に大きく貢献している。
集積回路
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2018/09/17 16:45 UTC 版)
集積回路（しゅうせきかいろ、英: integrated circuit, IC）は、主としてシリコン単結晶などによる「半導体チップ」[1]の表面および内部に、不純物の拡散による半導体トランジスタとして動作する構造や、アルミ蒸着とエッチングによる配線などで、複雑な機能を果たす電子回路の多数の素子が作り込まれている電子部品である[2]。多くの場合、複数の端子を持つ比較的小型の[3]パッケージに封入され、内部で端子からチップに配線されモールドされた状態で、部品・製品となっている。
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- ^ 専門的には「ダイ」とも呼ぶ。
- ^ 個別の部品を集積した「ハイブリッド集積回路」なども含める場合もあるが、ここではそちらへの言及は割愛する。
- ^ 多くの場合、端子とその間隔のために必要な大きさが、パッケージサイズの要因となっている。
- ^ a b c 1960年代初 国産ICのスタート
- ^ 城阪俊吉、私とハイブリッドマイクロエレクトロニクスの出会い -戦後40年のやきもの HYBRIDS., 1988年 4巻 1号 p.2-20, doi:10.5104/jiep1985.4.2
- ^ 米誌に触発された電試グループ
- ^ 固体回路の一試作 昭和36（1961）年4月8日 電気四学会連合大会
- ^ 東大グループは「固態型論理回路」 半導体産業人協会 日本半導体歴史館 志村資料室 第Ⅱ部
- ^ The Bipolar Digital Integrated Circuits Data Book, 日本テキサスインスツルメンツ
- ^ 原題: Introduction to VLSI Systems
- ^ 1980年代に商用化しようとした例もあったが、歩留の制約を越えられずに失敗している。WSIの実用化の優先度は高くない。（トリロジー・システムズの記事などで見られる）
- ^ 福田哲生著 『はじめての半導体シリコン』工業調査会 2006年9月15日初版第1刷発行 ISBN 4769312547
- ^ 日経エレクトロニクス 2007年11月5日号「激安DRAMを活かす」 p.63
- ^ [インテルCPUロードマップ 2016年中に10nmプロセスを量産、7nmは2019年]ASCIIデジタル2016年04月18日
- ^ ついに“ひと桁”、7nmプロセス開発へ加速EE Times Japan Weekly 2016年03月28日
- ^ “Broadwell-EP”こと「Xeon E5-2600 v4」が販売開始ASCII 2016年04月01日
- ^ New nano logic devices for the 2020 time frames
- ^ マイクロ分光素子を用いたイメージセンサの高感度化技術を開発 Panasonic Newsroom プレスリリース 2013年2月4日
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