DRAMとは?

DRAM

Dynamic Random Access Memory
ディーラム」と発音する。データ記録する読み書き可能な半導体メモリのこと。主にメインメモリ利用される。このメモリデータ保持のため一定時間ごとにデータの再書き込みが必要。

関連用語:


DRAM

フルスペル:Dynamic Random Access Memory
読み方ディーラム
別名:Dynamic RAMダイナミックRAM

DRAMとは、半導体メモリ一種で、コンデンサ電荷蓄積することで情報保持するタイプ半導体メモリのことである。

DRAMは、コンデンサ電荷があるかないかを、2進法0と1に対応させることで、データ記憶を行う。コンデンサ1個に対して1ビット情報与えられる蓄えられた電荷は、放置すると自然に放電されてしまうので、記憶内容保持続けるために、リフレッシュ呼ばれる再度データ書き込み周期的行われる

DRAMはRAMRandom Access Memory)と呼ばれる半導体メモリ方式一種である。RAM分類としては、DRAMの他にSRAMStatic RAM)がある。SRAMトランジスタによって構成されるフリップフロップ回路利用して、0と1記憶している。このため、DRAMのようにリフレッシュを行わなくてもデータ保持続けることが可能となっている。リフレッシュが必要なDRAMは「Dynamic動的な)RAM」、リフレッシュ不要SRAMは「Static静的な)RAM」である。

DRAMではリフレッシュを行っている限りにおいてデータ保持続けることが可能であるが、電源供給止める放電されデータ消失する。なお、SRAM同様に電源供給がなくなればデータ消失する。

DRAMは記憶素子1個につき1ビット情報を持つことができるが、SRAMでは記憶素子を6個の用いて1ビット情報を持つ。このため、同じRAM一種でもSRAMよりDRAMの方が、より高密度化・大容量化を容易に、かつ低コスト実現できる。大容量低コスト半導体メモリ需要が高く、今日ではメモリ仕組みとしてもっぱらDRAMが採用されている。

DRAMは、データへのアクセス方法アクセス速度などの違いにより、EDO DRAMバーストEDO DRAMSDRAMDDR SDRAMDDR2 SDRAMDDR3 SDRAMなど複数種類分かれる2008年8月現在、PCメインメモリとしては、DDR2 SDRAMが主に利用されている。

なお、パソコン用のメモリは、DRAM単体ではなく複数のDRAMをひとつの基板上に搭載したメモリモジュールとして市販されている。

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Dynamic Random Access Memory

(DRAM から転送)

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2020/05/18 05:22 UTC 版)

Dynamic Random Access Memory(ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ、DRAM、ディーラム)は、コンピュータなどに使用される半導体メモリによるRAMの1種で、チップ中に形成された小さなキャパシタに電荷を貯めることで情報を保持する記憶素子である。放置すると電荷が放電し情報が喪われるため、常にリフレッシュ(記憶保持動作)を必要とする。やはりRAMの1種であるSRAMがリフレッシュ不要であるのに比べ、リフレッシュのために常に電力を消費することが欠点だが、SRAMに対して大容量を安価に提供できるという利点から、コンピュータの主記憶装置デジタルテレビデジタルカメラなど多くの情報機器において、大規模な作業用記憶として用いられている。




注釈

  1. ^ CCDに代わる画像素子として、1988年にMicron Technology社よりOptic RAMという商品名で発売された。
  2. ^ インテルは、磁気コアメモリに代わるメモリとして、DRAM製造に着手していたが、ダイの状態では問題がないにもかかわらず、パッケージにするとソフトエラーが多発する問題に遭遇した。原因を究明すると、パッケージのセラミックスアルファ線を放出する物質が含まれていることが判明した。インテルは、パッケージ製造元である京セラに対して、この現象を極秘にするよう要請し、DRAM用パッケージは京セラが作った特注パッケージを使用した。そのため、インテル自身がインテル・1と呼ぶ半導体巨大企業へ発展する第一歩は、ソフトエラーの対策ノウハウを秘密にすることにより、市場から競合メーカーを追い出すことから始まったとされる。なお、この事実は、電子立国日本の自叙伝 単行本において、インテル自身によって解説された。
  3. ^ 世界最薄DRAM開発、エルピーダメモリ。本県で生産、出荷へ 秋田魁新報 2011年6月23日
  4. ^ 韓国Samsung Electronics社は2009年6月17日に、サーバー向けにパッケージあたり16GビットのレジスタードDDR3モジュールを開発したと発表した。電源電圧は1.35Vで1つ4Gビットのダイを4枚内蔵している。
  5. ^ 512Mビット(64M語×8、DDR2 667Mビット/秒)製品の価格が2006年11月は6.5米ドルだったものが2008年12月8日0.31米ドルまで低下した。
  6. ^ 2008年第算四半期の決算では、Samsung社が前年同期比約78%減ながら1,900億ウォンの営業利益を、Hynix社が4,650億ウォンの、エルピーダメモリ社が245億円の営業損失を報告した。

出典

  1. ^ a b 小林春洋著 『わかりやすい高密度記録技術』 日刊工業新聞社 2008年9月28日発行 ISBN 978-4-526-06129-5
  2. ^ a b c 菊池正典監修 『半導体とシステムLSI』 日本実業出版社、2006年7月1日初版発行、ISBN 4-534-04086-5
  3. ^ [1]
  4. ^ 神保進一著 『マイクロプロセッサ テクノロジ』 日経BP社 1999年12月6日発行 ISBN 4-8222-0926-1
  5. ^ 『負の連鎖から脱出せよ』 日経エレクトロニクス 2009年1月12日号 37-69頁
  6. ^ JETROニュースページ 『半導体大手キマンダが倒産−1万人の雇用に影響か−(ドイツ)』
  7. ^ computerworld
  8. ^ エルピーダメモリ産業活力の再生及び産業活動の革新に関する特別措置法の認定取得に関するお知らせ (PDF)”. エルピーダメモリ株式会社 (2009年6月30日). 2011年2月12日閲覧。
  9. ^ エルピーダが経営破綻 会社更生法の適用申請へ - MSN産経ニュース
  10. ^ Micron、エルピーダメモリの買収を完了 - PC Watch
  11. ^ チキンゲーム勝者の笑顏…SKハイニックス、営業利益1兆ウォンの新記録 | Joongang Ilbo | 中央日報





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