トランジスタとは? わかりやすく解説

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トランジスタ

【英】transistor

トランジスタとは、増幅発振スイッチングなどの動作を行うことができる半導体素子のことである。AT&Tベル研究所開発された。

トランジスタには端子3つ付いており、2つ端子間に流れ電流を、残った1つ端子に加え電流もしくは電圧制御する仕組みになっている。このとき、制御電流によって行うタイプのトランジスタはバイポーラトランジスタ呼ばれている。バイポーラトランジスタn型半導体p型半導体が、n-p-n、またはp-n-p順で接合されている。単にトランジスタといった場合、このバイポーラトランジスタ指していることが多い。

また、2端子間に流れ電流を、電圧によって制御するタイプのトランジスタは、電界効果トランジスタFET)と呼ばれている。電極半導体酸化物皮膜によって絶縁されているものは、特にMOSFET呼ばれる


参照リンク
増幅回路、トランジスターの基本
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技術・産業:  スループット  TTL  ダイサイズ  ディスクリート半導体  トランジスタ  トンネルダイオード  ULSI

トランジスタ trasnsistor

三極以上の電極をもつ半導体装置シリコン、ゲルマニゥムなどの半導体結晶中で 電子動作制御して増幅発振などの作用をさせる。

トランジスタ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/10/19 04:24 UTC 版)

トランジスタ: transistor)とは、電子回路において、信号を増幅またはスイッチングすることができる半導体素子である。


注記(英語)

  1. ^ : Kahng
  2. ^ : Atalla
  3. ^ : bipolar transistor
  4. ^ : field effect transistor
  5. ^ : unipolar transistor
  6. ^ : insulated gate bipolar transistor
  7. ^ : grounded-trench-MOS assisted bipolar-mode field effect transistor
  8. ^ : uni-junction transistor
  9. ^ : programmable uni-junction transistor
  10. ^ : static induction transistor
  11. ^ : power bipolar transistor
  12. ^ : power transistor

出典

  1. ^ NVIDIA GeForce ニュース” (日本語). NVIDIA. 2022年10月19日閲覧。
  2. ^ [1]
  3. ^ Lilienfeld, Julius Edgar, "Method and apparatus for controlling electric current" アメリカ合衆国特許第 1,745,175号 1930-01-28 (filed in Canada 1925-10-22, in US 1926-10-08).
  4. ^ GB application 439457, Heil, Oskar, "Improvements in or relating to electrical amplifiers and other control arrangements and devices", published 1935-12-06, issued 1934-03-02  European Patent Office, filed in Great Britain 1934-03-02, (originally filed in Germany 1934-03-02).
  5. ^ https://spectrum.ieee.org/tech-history/silicon-revolution/how-europe-missed-the-transistor
  6. ^ David Bodanis (2005). Electric Universe. Crown Publishers, New York. ISBN 0-7394-5670-9 
  7. ^ Arns, Robert G. (October 1998). “The other transistor: early history of the metal-oxide-semiconducor field-effect transistor”. Engineering Science and Education Journal 7 (5): 233–240. doi:10.1049/esej:19980509. ISSN 0963-7346. http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?arnumber=730824. 
  8. ^ J. Chelikowski, "Introduction: Silicon in all its Forms", Silicon: evolution and future of a technology (Editors: P. Siffert, E. F. Krimmel), p.1, Springer, 2004 ISBN 3540405461.
  9. ^ Grant McFarland, Microprocessor design: a practical guide from design planning to manufacturing, p.10, McGraw-Hill Professional, 2006 ISBN 0071459510.
  10. ^ TR-55ソニー公式サイト
  11. ^ 50年前のソニーが生んだもの日経エレクトロニクス雑誌ブログ、2005年8月5日
  12. ^ W. Heywang, K. H. Zaininger, "Silicon: The Semiconductor Material", Silicon: evolution and future of a technology (Editors: P. Siffert, E. F. Krimmel), p.36, Springer, 2004 ISBN 3540405461.


「トランジスタ」の続きの解説一覧

トランジスタ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/08/13 01:28 UTC 版)

ウィリアム・ショックレー」の記事における「トランジスタ」の解説

1945年戦争が終わると、ベル研究所固体物理学部門ができ、ショックレー化学者のスタンレー・モルガンが指揮することになった他のメンバーとしては、ジョン・バーディーンウォルター・ブラッテン物理学者ジェラルド・ピアソン、化学者ロバート・ギブニー、電子工学者ヒルバート・ムーア、および数人技術者がいた。彼らの当面の目標は、真空管増幅器代替となる固体半導体)を見つけることだった。まずショックレー発案で、半導体外部電界中に置いて伝導率影響与えられない試したその実験はあらゆる素材設定行って失敗したバーディーン半導体内部に電界侵入できないことを示す表面準位理論提案するまで、全く進展見られなかった。その後彼らは表面準位研究注力し、毎日のように議論したグループ内の関係は素晴らしくアイデア自由に出し合っていた。 1946年の冬までに十分な結果得られバーディーンフィジカル・レビュー誌に表面準位についての論文送ったブラッテン表面準位研究のため、半導体表面に強い光を当てる実験を始めた。そこからさらに論文書かれ一部ショックレー共同)、初期の実験失敗した原因推測できるようになった研究軌道に乗ったのは、半導体導体導線接触点電解液に浸すという実験行ってからのことである。ムーア入力信号周波数容易に変更できる回路組み立てたショックレー助言に従いピアソンpn接合接合部分ホウ酸グリコール蒸発しない粘性のある化学物質)の小滴を置き、そこに電圧印加してみた。これによってついに増幅作用観測されるようになった1947年12月ベル研究所にとって「奇跡1カ月となったバーディーンブラッテン点接触型トランジスタ完成させ、増幅機能確認したショックレー直接関わっていない)。翌月までにベル研究所特許出願したベル研究所弁理士間もなくショックレー電界効果原理が既に予測されユリウス・エドガー・リリエンフェルト1930年にそれを利用した装置特許取得済みであることを発見した。そのMOSFETのような素子特許最初に出願されたのはカナダで、1925年10月22日のことだった。その特許は「弱い」(実動しない)もののようだったが、弁理士衝突避けて4つ特許のうちの1つに関してバーディーンブラッテンによる点接触型設計のみを扱った他の3つの特許先に出願)は、バーディーンギブニーブラッテン発明者として電解質使ったトランジスタの特許とした。つまり、ショックレーこれらの特許出願書に発明人として名を連ねていない。ショックレー彼の電界効果アイデアがこれら発明の元になったと考えており、自分の名が入っていないことに怒った彼は自分の名前だけ入れた特許を書くつもりだバーディーンブラッテン話している。 同時に彼は独自に接触型ではなく接合型のトランジスタを作る作業続けたそちらの方量産しやすいと予想しためである彼は点接触型トランジスタ壊れやすく製造が難しい考えていた。ショックレーまた、点接触型トランジスタ動作原理説明少数キャリア注入可能性についても完全に納得していなかった。ショックレーは「サンドイッチ構造」トランジスタと自ら名付けたものについてよ徹底的な説明考え1949年4月7日にその動作原理の証明得たこれによって生まれた発明接合型トランジスタで、1951年7月4日報道陣に対して発表行った。この発明特許1951年9月25日発効その後様々な製造技法考案されたが、最終的には拡散フォトリソグラフィによる製造急速に広まった間もなく点接触型トランジスタ圧倒するようになり、しばらくの間市場支配することになったショックレーはさらに2年間、ベル研究所でトランジスタの改良に取り組むグループ指揮した一方でショックレー558ページ大著 Electrons and Holes in Semiconductors を書き上げ1950年出版したその中でショックレードリフト-拡散モデル説明し半導体内の電子流れを表す微分方程式記しているショックレーダイオード方程式その中記されていた。トランジスタの改良新たな半導体素子発明しようとする科学者にとって、この著作一種の聖書となった1951年米国科学アカデミー (NAS) の会員選ばれた。このときショックレー41歳であり、NAS選ばれるにはかなり若い方だったその2年後NASComstock Prize for Physicsショックレー授与その後次々と様々な賞を受賞していった。 ベル研究所一貫して3人チームとして発明したとしていたが、「トランジスタの発明者」として一般に認知されたのはまず第一にショックレーだった。結局ショックレー2人仲違いしそのせいもあってバーディーンブラッテン接合型トランジスタ研究から遠ざかることになったバーディーン超伝導現象研究向かい1951年ベル研究所去ったブラッテンショックレー一緒に働くことを拒否し別のグループ割り当てられた。バーディーンブラッテンもトランジスタ発明後の1年以降はトランジスタの研究から遠ざかっている。 ショックレー管理スタイルは人をいらだたせる面があり、そのせいもあってベル研究所での昇進から外されていった。それはまた同時にベル研究所にとってショックレー管理者ではなく科学者として重要だったという意味もある。ショックレー自身は自らの能力ふさわしい富と権力望んでいた。1953年ショックレーベル研究所離れカリフォルニア工科大学戻って4カ月だけ客員教授務めた

※この「トランジスタ」の解説は、「ウィリアム・ショックレー」の解説の一部です。
「トランジスタ」を含む「ウィリアム・ショックレー」の記事については、「ウィリアム・ショックレー」の概要を参照ください。

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トランジスタ

出典:『Wiktionary』 (2021/08/07 00:27 UTC 版)

語源

英語のtransistor (en)より。

名詞

トランジスタ

  1. (電子工学) 電子部品のひとつで、半導体できており3つある端子のうちの1つに加えられる電流変化を、もう1つ端子に加えられる電力源用いて増幅して出力する素子

発音(?)

と↗らんじ↘すた

関連語

翻訳


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