半導体素子
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2023/11/01 04:53 UTC 版)
半導体素子（はんどうたいそし、英: semiconductor device）とは、半導体で作られた電子回路の構成要素である。半導体デバイスともいう。
- ^ “ガートナー速報 - 2018年、世界の半導体消費を牽引する上位10社に中国の電子機器メーカー4社がランクイン”. Gartner. 2019年5月6日閲覧。
半導体素子
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/06/17 00:52 UTC 版)
四塩化ケイ素やトリクロロシランから作られる高純度ケイ素の塊（シリコンウェハー）は、半導体素子に用いられる。また、液晶ディスプレイのTFTやソーラーパネルには、アモルファスシリコンや多結晶シリコンなどが用いられる。ヒ化ガリウムや窒化ガリウムなどの化合物半導体の基板にシリコンを用いれば、大幅な低価格化が可能であり、さまざまな研究や実用化が進められている。
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半導体素子
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2018/02/17 01:50 UTC 版)
トランジスタ : エミッタ (E)、コレクタ (C)、ベース (B)名称はベース接地接触型PNPトランジスタの構造と正孔の動きに由来し、正孔が注入される極（Emitter=emissions : 放出）、正孔が回収される極（Collector=collections : 回収）、接地基板（Base : 基板）にちなむ。 FET : ソース (S)、ドレイン (D)、ゲート (G)名称は接合型電界効果トランジスタトランジスタの構造と電子の動きに由来し、電子を発生する極（Source : 発生源）、電子を外へ排する極（Drain : 排出溝）、調節する関門 (Gate) にちなむ。 ダイオード : カソード (K)、アノード (A)ダイオードはもともと二極真空管 (Di-electrode tube) を指し、アノード電極、カソード電極と対応する。記号Kはドイツ語のカソード (Kathode)、アノード (Anode) に由来する。
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