高電子移動度トランジスタ
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/08/08 04:58 UTC 版)
高電子移動度トランジスタ（こうでんしいどうどトランジスタ、High Electron Mobility Transistor）は、半導体ヘテロ接合に誘起された高移動度の二次元電子ガス(2DEG)をチャネルとした電界効果トランジスタのことで、英語の単語の頭文字を取ってHEMT(ヘムト)と呼ばれる。1979年に富士通研究所の三村高志により発明された。構造上の特徴からヘテロFET (HFET、hetero-FET)、ヘテロ接合FET (HJFET、Hetero-Junction-FET)と呼ばれることもある。一般に化合物半導体で作製され、GaAs系、InP系、GaN系、SiGe系などがある。
- ^ IEEE 東京支部「IEEE MILESTONE (35) 高電子移動度トランジスタ HEMT、1979年」2020年4月9日閲覧
- ^ Kim, Dae-Hyun; del Alamo, JesÚs A. (2008-08). “30-nm InAs Pseudomorphic HEMTs on an InP Substrate With a Current-Gain Cutoff Frequency of 628 GHz”. IEEE Electron Device Letters 29 (8): 830–833. doi:10.1109/LED.2008.2000794. ISSN 0741-3106.
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高電子移動度トランジスタ
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「化合物半導体」の記事における「高電子移動度トランジスタ」の解説
高電子移動度トランジスタは、電子親和力の違う2つの半導体をヘテロ接合することにより作製される。一般的に、この2つの半導体は共に化合物半導体である。
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