半導体メモリ
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2019/01/14 03:14 UTC 版)
半導体メモリ（はんどうたいメモリ）は、半導体素子（特に、もっぱら集積回路）によって構成された記憶装置（メモリ）である。
| ||||||||||
| ||||||||||||||||||
- ^ リークによる電荷の増減によって、HかLかが曖昧になってしまう前に、HかLかを再度はっきりさせるという一種の「量子化」である。
- ^ 「擬似SRAM」はDRAM回路にリフレッシュ回路などを加えることでSRAMとピン配列や信号を擬似的に互換としたもの。
- ^ "FRAM" は米国ラムトロン社の商標である。
- ^ "RRAM" はシャープの商標である。
- ^ 実際には、0のビットを1にする、あるいはその逆の、どちらかの操作が不可逆に行える、というものであるため、非常に制限は強いがある種の追記ができなくもない。いずれにしろ、本来の想定された使い方ではなく外付けの書き込み回路などの用意が必要であり、素子自身で追記する事は出来ない。
- ^ 直射日光に長時間晒すのでもよい製品もある。
[続きの解説]
「半導体メモリ」の続きの解説一覧
- 1 半導体メモリとは
- 2 半導体メモリの概要
- 半導体メモリのページへのリンク
