熱酸化
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2024/04/28 23:02 UTC 版)
熱酸化（ねつさんか、Thermal_oxidation）は、微細加工において、ウェーハの表面に酸化物（通常は二酸化ケイ素）の薄膜層を形成する方法である。
- ^ Liu, M.; Peng, J. (2016). “Two-dimensional modeling of the self-limiting oxidation in silicon and tungsten nanowires”. Theoretical and Applied Mechanics Letters 6 (5): 195–199. doi:10.1016/j.taml.2016.08.002.
- ^ “Professor Nathan Cheung, U.C. Berkeley. EE143 Lecture # 5. Thermal Oxidation of Si. •”. カリフォルニア大学バークレー校. p. 5. 2022年12月20日閲覧。
- ^ “Professor Nathan Cheung, U.C. Berkeley. EE143 Lecture # 5. Thermal Oxidation of Si.”. カリフォルニア大学バークレー校. p. 4. 2022年12月20日閲覧。
- ^ Liu, M. (2016). “Two-dimensional modeling of the self-limiting oxidation in silicon and tungsten nanowires”. Theoretical and Applied Mechanics Letters 6 (5): 195–199. doi:10.1016/j.taml.2016.08.002etal
- ^ 木下圭『枚葉回転湿式技術による半導体表面処理に関する研究』 法政大学〈博士（工学） 乙第216号〉、2015年。doi:10.15002/00011060。NAID 500000935159。
木下圭「枚葉回転湿式技術による半導体表面処理に関する研究」『法政大学大学院紀要. 理工学・工学研究科編』第56巻、法政大学大学院理工学・工学研究科、2015年、1-9頁、hdl:10114/10779、ISSN 2187-9923、NAID 120005616117。 - ^ APPELS J. A. (1970). “Local oxidation of silicon and its application in semiconductor device technology”. Philips Research Reports 25 (2): 118-132. CRID 1572261549368729472.
- ^ Kuiper, AET; Willemsen, MFC; Bax, JMG; Habraken, FHPH (1988). “Oxidation behaviour of LPCVD silicon oxynitride films”. Applied Surface Science (Elsevier) 33: 757-764. doi:10.1016/0169-4332(88)90377-7.
- ^ Silicon thermal oxidation calculator - nanoFAB sithox
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