フラッシュメモリとは? わかりやすく解説

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フラッシュメモリ

別名:Flashメモリフラッシュメモリー
【英】Flash Memory

フラッシュメモリとは、電気的にデータ書き換えることが可能で電力供給しなくてもデータ保持することができる(不揮発性の)半導体メモリである。コンピュータ外部記憶装置などに用いられている。

不揮発性半導体メモリとしてはEEPROM先立って開発されており、フラッシュメモリはこのEEPROM改良によって登場した記憶媒体である。両者主な違いは、EEPROMデータバイト単位書き換えるが、フラッシュメモリは数十キロバイト程度データを「ブロック」の単位まとめて扱う、という点である。フラッシュメモリのデータ書き換える場合当該データだけでなく、当該データを含むブロック消去する必要がある他面、フラッシュメモリはデータ消去必要な装置ブロックごとに共有できるため、単位容量あたりの回路構成簡素化することができる。このため製造コスト低下と、面積あたりの記憶容量大容量化が実現される

フラッシュメモリは回路構造によって「NAND型フラッシュメモリ」と「NOR型フラッシュメモリ」に区分されるNAND型フラッシュメモリ書き込み高速で大容量化しすいとい特徴があるNOR型フラッシュメモリには、読み込み高速であり、信頼性が高いという特徴があるSSDUSBメモリのように価格データ書き込み重点置かれる記憶媒体にはNAND型フラッシュメモリ多く用いられ電子機器制御プログラムファームウェア)のように書き込みよりも読み出し重点置かれる記憶媒体にはNOR型フラッシュメモリ多く用いられている。


フラッシュメモリ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/06/18 09:43 UTC 版)

フラッシュメモリ: Flash Memory)は、浮遊ゲートMOSFETと呼ばれる半導体素子を利用し、浮遊ゲートに電子を蓄えることによってデータ記録を行う不揮発性メモリである。東芝舛岡富士雄が発明した[1][2]。データを消去する際に、ビット単位ではなくブロック単位でまとめて消去する方式を採ることにより、構造が簡素化し、価格が低下したため、不揮発性半導体メモリが爆発的に普及するきっかけとなった。消去を「ぱっと一括して」行う特徴から、写真のフラッシュをイメージしてフラッシュメモリと命名された[3]


  1. ^ 世紀の発明「フラッシュメモリーを作った日本人」の無念と栄光(週刊現代) @gendai_biz” (日本語). 現代ビジネス. 2022年5月31日閲覧。
  2. ^ 残念な東芝で「フラッシュメモリーの父」は活かされなかった” (日本語). ダイヤモンド・オンライン (2017年5月29日). 2022年5月31日閲覧。
  3. ^ http://www.takeda-foundation.jp/reports/pdf/ant0104.pdf
  4. ^ 構造からは「押し流す」=flushという感じだが、公称はflashである。
  5. ^ Jonathan Thatcher, Fusion-io; Tom Coughlin, Coughlin Associates; Jim Handy, Objective-Analysis; Neal Ekker, Texas Memory Systems (April 2009). NAND Flash Solid State Storage for the Enterprise, An In-depth Look at Reliability. Solid State Storage Initiative (SSSI) of the Storage Network Industry Association (SNIA). オリジナルの14 October 2011時点におけるアーカイブ。. https://web.archive.org/web/20111014033413/http://snia.org/sites/default/files/SSSI_NAND_Reliability_White_Paper_0.pdf 2011年12月6日閲覧。. 
  6. ^ Taiwan engineers defeat limits of flash memory”. phys.org. 2016年2月9日時点のオリジナルよりアーカイブ。2022年4月8日閲覧。
  7. ^ Flash memory made immortal by fiery heat”. theregister.co.uk. 2017年9月13日時点のオリジナルよりアーカイブ。2022年4月8日閲覧。
  8. ^ Flash memory breakthrough could lead to even more reliable data storage”. news.yahoo.com. 2012年12月21日時点のオリジナルよりアーカイブ。2022年4月8日閲覧。
  9. ^ Richard Blish. "Dose Minimization During X-ray Inspection of Surface-Mounted Flash ICs" Archived 20 February 2016 at the Wayback Machine.. p. 1.
  10. ^ Richard Blish. "Impact of X-Ray Inspection on Spansion Flash Memory" Archived 4 March 2016 at the Wayback Machine.
  11. ^ SanDisk Extreme PRO SDHC/SDXC UHS-I Memory Card”. 2016年1月27日時点のオリジナルよりアーカイブ。2016年2月3日閲覧。
  12. ^ Samsung 32GB USB 3.0 Flash Drive FIT MUF-32BB/AM”. 2016年2月3日時点のオリジナルよりアーカイブ。2016年2月3日閲覧。
  13. ^ (3)【フラッシュメモリー編】 長期間放置するとセル内の情報が消える《データ消失の謎》 - PC Online
  14. ^ 【福田昭のセミコン業界最前線】 NANDフラッシュメモリの信頼性を保つ技術 - PC Watch
  15. ^ (3/5)100年持たせるデータ保存術 - 【フラッシュメモリー】長期間の放置でデータが消える - ITpro
  16. ^ IEDM 2008 - フラッシュメモリにも中性子線ソフトエラーが発生
  17. ^ a b NOR FLASH FAQS - KBA222273 - Cypress Developer Community”. サイプレス (2018年3月26日). 2018年6月7日閲覧。
  18. ^ MemCon Tokyo 2007レポート(フラッシュメモリ編)”. Impress Watch / PC Watch. 2013年3月5日閲覧。
  19. ^ 製品やメーカーによってはメモリセル単体の寿命を1万回や10万回程度の保証としている(SPANSION社のフラッシュメモリデータシートによる)
  20. ^ SSDの耐久性 - Hewlett-Packard
  21. ^ 寿命を迎えたフラッシュメモリのレポート - USBメモリの書き換え限界寿命が来ると何が起きるのか、実際に寿命が来たケースをレポート - GIGAZINE
  22. ^ IntelとMicronがマルチレベルNANDフラッシュの不良を解析 - PC Watch
  23. ^ フラッシュATAメモリーカード - Weblio辞書
  24. ^ メモリーカードの価格が大暴落中! - All About
  25. ^ 東芝、300億円の営業赤字に 08年中間決算 - 47news
  26. ^ 東芝,NANDフラッシュ・メモリの赤字は通期で390億円 - 日経BP TechOn
  27. ^ フラッシュメモリー製造 米国NASDAQ上場Spansion Inc.子会社 Spansion Japan株式会社 会社更生法の適用を申請 負債741億円 - 帝国データバンク


「フラッシュメモリ」の続きの解説一覧

フラッシュメモリ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/06/17 12:30 UTC 版)

ソリッドステートドライブ」の記事における「フラッシュメモリ」の解説

「フラッシュメモリ」も参照 通常複数個メモリチップ使用されデータ記憶する。コントローラチップとフラッシュメモリチップのダイ仕様が同じであれば、他の要因ボトルネック達するまでは、同時にアクセス出来ダイ実装数が多い大容量製品でより書き込み速度高くなる2018年現在SSD内部記憶半導体素子には大記憶容量比較容易に得られるNAND型フラッシュメモリ使用されている記憶領域についてはフラッシュメモリ同様、積層プロセス用いて3次元フラッシュメモリ等を記憶チップとして利用し更なる容量単価減少総容量の増加予定されている。 HDDのような機構部品持たず半導体のみにより構成されるSSDは、高集積化技術的余地大きく今後市場要求次第で極めて集積度不揮発性記憶装置作られる可能性があるSSDだけに限らずMRAMFeRAMReRAMのような半導体記憶装置すべてに今後の高集積度化の可能性があるが、NAND型フラッシュメモリは既に製品化されていて記憶容量集積密度遜色がないという点で他よりは比較現実性が高いと考えられる。 現在、3次元セル積層技術有望な技術として注目されている。。例え東芝実装面積が18mm×14mmの128GバイトSSD試作した。これを16使用すれば1.8インチHDDパッケージ内に2Tバイト製品作れることになる。この試作品では16個の容量32GビットNANDフラッシュメモリチップと1個のコントローラオップを25μmまで薄く削り17eMMCパッケージ積層実装した 。 2012年6月には中央大学ReRAMNANDフラッシュメモリ組み合わせたSSDアーキテクチャ開発した現時点で量産研究段階にある不揮発性メモリReRAMは、フラッシュメモリより大幅に高コストであるが、読み書き大幅に高速であるためキャッシュ用い事によりSSD全体としてのスループット向上(高速化)、低消費電力化、長寿命化資するという。 SSDコストの約80%を占めNAND型フラッシュメモリ半導体安価に大容量出来れば販売価格安く出来る。現状SLC型を4値による2ビット/セルMLC型にするだけでなく、既に8値による3ビット/セルTLC型が実用化されており、また、プロセスルール微細化によって大容量化が図られている。多値化や微細化によって書き換え回数減少するが、周辺技術カバーし切れるのかという問題がある例えば、90nmのSLC型では書き換え可能回数10万程度だったものがMLC型 (2bit/cell) の50nm世代では2以下にTLC型40nm世代2009年-2010年から量産始ま予定の30nm世代では1万回以下(3,000回という予測もある)にまでなる。 記憶素子構造による種類 使用するフラッシュメモリの構造により、1つ記録素子1ビットデータ保持するSLC型(Single Level Cell)型や、2ビット以上のデータ保持するMLC型(Multi Level Cell)、TLC型(Triple Level Cell)、QLC型(Quad Level Cell)が存在する。各構造の詳細についてはフラッシュメモリのページを参照SLC型はその書き込み速度と書き換え可能な上限回数大きいことにより、サーバ向けや産業用組み込み装置など信頼性向上や保守頻度低減優先しコスト高ある程度許容される用途普及している。 SLCとMLC混用した製品存在するSamsung技術者によるとコントローラ設定で同じセルSLCにもMLCにも使用することが可能で製品両方設定しSLC部分キャッシュとしてMLC部分主記憶部分とするEVOシリーズがある。

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フラッシュメモリ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/09/14 14:54 UTC 版)

日本の発明・発見の一覧」の記事における「フラッシュメモリ」の解説

フラッシュメモリ(NOR型、NAND型の両方)は、1980年頃東芝勤務していた舛岡富士雄博士によって発明された。

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フラッシュメモリ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/06/18 05:01 UTC 版)

バックアップ」の記事における「フラッシュメモリ」の解説

現在はUSB接続タイプ主流SSD普及しつつあるが、長期バックアップにはまれである

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フラッシュメモリ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/12/12 23:57 UTC 版)

不揮発性メモリ」の記事における「フラッシュメモリ」の解説

詳細は「フラッシュメモリ」を参照 フラッシュメモリは、基本的にEEPROMそのものである。しかし、一般EEPROM異なった構造工夫があり、また消去単位ブロックまたはページ呼ばれる単位として、密度扱いやすさのバランス取ったメモリである。EEPROMよりも記憶容量大きくできることなどもあり、1990年代ごろからパーソナルコンピュータBIOSチップなどをEEPROMから置き換えた他、2000年前後からはデジタルカメラなど電子機器ハードディスク適さないものなどに多用されるようになり、メモリーカードの類が生産されるようになった200x年中旬以降はUSBストレージUSBメモリいわゆるUSBスティック)として比較的小容量ストレージが、SSDとして比較大容量ストレージが、主にノートパソコン等用を中心に大量生産されるようになった構造によりNAND型とNOR型に分けられる。NOR型はランダムアクセス高速で1バイト単位読み出し可能であるNAND型は連続な読み書き高速だが、ランダムアクセスはNOR型より遅い。NAND型はNOR型より集積度高くでき、同じ大きさシリコンであれば記憶容量より大きくできる。 NOR型フラッシュメモリメーカー次の通りである。 Atmel インテル Macronix マイクロン・テクノロジ Silicon Storage Technology (SST) スパンション STマイクロエレクトロニクス NAND型フラッシュメモリメーカー次の通りである。 ハイニックス半導体 インテル マイクロン・テクノロジ キマンダ ルネサス エレクトロニクス サムスングループ スパンション STマイクロエレクトロニクス 東芝

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フラッシュメモリ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/02/08 15:29 UTC 版)

プログラム電卓」の記事における「フラッシュメモリ」の解説

最近ではフラッシュメモリなどの不揮発性メモリ挿入するスロット備えているものもある。

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フラッシュメモリ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/04/15 03:22 UTC 版)

アイリバー」の記事における「フラッシュメモリ」の解説

フラッシュメモリタイプのプレーヤー本体内蔵したメモリデータ蓄積するiFP シリーズiMPシリーズ後iriver第2期主力製品となった一部シリーズ除いて三角形断面プリズム形状)・単三型(LR6)乾電池仕様二次電池対応)であり、韓国の公式サイトでその重さを「ゲマッサル」1列分と表現したことから日本では一部から「カニかま」の俗称呼ばれるようになったPhilips製チップ搭載転送専用ツールを使うManagerバージョンと、OS書き込みが可能なUMSバージョンファームウェア切り替えで選ぶことができた。Xtreme3D、FMラジオ録音機能が充実しており、販売終了後根強い人気があった。なお、iFP-700シリーズのマイナーチェンジモデルがF700シリーズとして再発売されていた。iFP-100 (Prism) iFP-300 (Craft) iFP500 (MasterPiece) iFP-700/800 (Craft 2)初期ロットホワイトノイズが入るという不具合発生したため2004年7月15日より対策品と交換開始した。 iFP-900 (MasterPiece 2) iFP-1000 (Prism Eye) iriverプリズム(iFP-100シリーズの名称を変更したもの) F700(iFP-704T) (外部マイク対応、4GB) Nシリーズ - ネックレスタイプN10 (256MB/512MB/1GB) - Philips製チップ搭載しiFPシリーズ以外のフラッシュメモリタイプの機種唯一Xtreme3Dに対応。 N11 (256MB/512MB/1GB) N12 (1GB/2GB) N15 JEWEL (2GB/4GB) Tシリーズ - iFPシリーズ事実上の後継機種T10 (Music Clip) (単三電池対応、512MB/1GB/2GB) T20 (Metro Look) (512MB/1GB) T30 (Craft 3) (単四電池対応、256MB/512MB/1GB/2GB) T50 (単三電池対応、1GB) T60 (単四電池対応、2GB/4GB) T7 (VOLCANO / Stix) (USBプラグ内蔵、1GB/2GB/4GB) T6 NEON (2GB) T5 (ストップウォッチ機能搭載、4GB) T8 Candy Bar (2GB/4GB) T9 (4GB) HシリーズH10 Jr. (512MB/1GB) Eシリーズ - Hシリーズ事実上の後継機種E100 (4GB/8GB + 増設microSDカード) E50 METAL (4GB) E150 (4GB/8GB) E30 MATTE (2GB/4GB/8GB) E300 (4GB/8GB) E40 (4GB/8GB) Clix (U) シリーズ - 一部ナップスターサービス対応U10 (256MB/512MB/1GB) - 充電データ転送および入出力拡張にTTA-24規格端子採用。 U10 ペ・ヨンジュンSE (512MB) clix (2GB) U:MO (モバHO!対応、1GB) Clix2 (2GB/4GB/8GB) LPlayer (2GB/4GB/8GB) SPINN (eストア限定、4GB/8GB) Sシリーズ - 超小型タイプS7 (1GB) S10 (1GB/2GB) S100 Panorama (8GB/16GB) Mplayer (1GB) - ミッキーマウス型、ウォルト・ディズニー公認ライセンス商品 Mplayer Season2 (1GB) Mplayer+ (2GB) Mplayer SWAROVSKI (1GB) MPlayer eyes (2GB) Xシリーズ - フォトアルバム機能搭載動画対応X20 (2GB/4GB/8GB内蔵 + 増設microSDカード) - Joytoto社とのコラボでJoytoto製である。 Bシリーズ - モバHO!対応B20 (1GB) B100 (4GB/8GB) Astell&Kernシリーズ - Hi-Fi/ハイレゾ音源対応オーディオプレイヤー 詳細は「Astell&Kernを参照

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フラッシュメモリ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/04/16 14:26 UTC 版)

キオクシア」の記事における「フラッシュメモリ」の解説

東芝は、舛岡富士雄中心にフラッシュメモリの開発進め1980年NOR型フラッシュメモリを、1986年NAND型フラッシュメモリ発明した

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フラッシュメモリ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/06/11 09:45 UTC 版)

東芝」の記事における「フラッシュメモリ」の解説

フラッシュメモリに関しては、当時東芝舛岡富士雄1980年昭和55年)に発明し続いて1984年にNOR型、更に1986年には大容量化が容易なNAND型も開発している。しかし東芝DRAM高度化集中していたため、ライセンスを受けて全社的に投資したインテル市場シェアを失うこととなった以降東芝も本的に参入した技術ライセンシング止めなかった結果米韓メーカー筆頭に競合増えて利潤を得るのは難しく2000年よりは米サンデイスク社(現・ウェスタンデジタル傘下)と提携して共同で設備投資行ってきた。 2015年発覚した粉飾決算事件以降事業部門東芝メモリ(現・キオクシア)として分社化し、過半数株式売却している。

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