エム‐エル‐シー【MLC】
読み方：えむえるしー
《multi level cell》NAND型フラッシュメモリーを構成する各メモリーセルが、電荷の量に対応して2ビット以上の多値の情報を記憶する方式。通常、2ビットのものを指し、3ビットを記憶するTLCや、4ビットを記憶するQLCと区別されることが多い。マルチレベルセル。→エス‐エル‐シー（SLC）
マルチレベル‐セル【multi level cell】
多値記憶素子
(Multi Level Cell から転送)
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/03/29 08:52 UTC 版)
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電子工学において、記憶素子当たり1ビットしか格納し得ない単値記憶素子（SLC）に対して、多値記憶素子（MLC）は単一のビットよりも多くの情報を格納し得る記憶素子である。
記憶素子は大抵単体の浮遊ゲートMOSFET（金属酸化物半導体電解効果トランジスタ）の組み合わせである、従って多値記憶素子は、単値記憶素子と同じデータの総量を必要とする場合、複数のMOSFETの個数を減らす。
脚注
関連項目
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