絶縁ゲートバイポーラトランジスタとは - わかりやすく解説 Weblio辞書

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2023/07/03 08:29 UTC 版)

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、英: insulated-gate bipolar transistor、IGBT）は半導体素子のひとつで、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を主要部に組み込んだバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。

脚注

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^ ^a ^b Nakagawa, A. (1984). Non-latch-up 1200V 75A bipolar-mode MOSFET with large ASO. IEEE International Electron Devices Meeting. Technical Digest. pp. 860–861.
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^ 中川他、特許1778841、特許1804232、A.Nakagawa, H. Ohashi, Y. Yamaguchi, K. Watanabe and T. Thukakoshi, "Conductivity modulated MOSFET" US Patent No.6025622 (Feb.15, 2000), No.5086323 (Feb.4, 1992) andNo.4672407 (Jun.9, 1987)
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^ Nakagawa, A. (1987). “Safe operating area for 1200-V non-latch-up bipolar-mode MOSFETs”. IEEE Trans. on Electron Devices 34: 351–355.