逆阻止絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/04/28 14:51 UTC 版)
「絶縁ゲートバイポーラトランジスタ」の記事における「逆阻止絶縁ゲートバイポーラトランジスタ」の解説
結晶欠陥密度が高いダイシング側面でのキャリア発生を抑えることによって逆耐圧特性をもたせたものである。 双方向スイッチングを構成するときに、逆耐圧をもたせるためのダイオードが不要になる。素子数の低減によりコストダウンと小型化・軽量化が可能となる。また、オン電圧の半減が期待できる。交流-交流の直接変換用素子として開発された。 メサ型 分離阻止型
※この「逆阻止絶縁ゲートバイポーラトランジスタ」の解説は、「絶縁ゲートバイポーラトランジスタ」の解説の一部です。
「逆阻止絶縁ゲートバイポーラトランジスタ」を含む「絶縁ゲートバイポーラトランジスタ」の記事については、「絶縁ゲートバイポーラトランジスタ」の概要を参照ください。
ウィキペディア小見出し辞書の「逆阻止絶縁ゲートバイポーラトランジスタ」の項目はプログラムで機械的に意味や本文を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。
お問い合わせ。
- 逆阻止絶縁ゲートバイポーラトランジスタのページへのリンク
