電界効果トランジスタ

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電界効果トランジスタ

読み方：でんかいこうかトランジスタ
別名：ユニポーラトランジスタ
【英】Field Effect Transistor, FET

電界効果トランジスタとは、電圧入力によって発生させた電界により電流を制御するトランジスタのことである。

電界効果トランジスタには、ソースとドレインのほかにゲートと呼ばれる電極が設けられている。ゲートに電圧をかけると電界が生じ、ソースとドレインの間を流れる電子（あるいは正孔）の流れを任意にせき止めて電流を制御することができる。

電界効果トランジスタは、単なるトランジスタ（バイポーラトランジスタ）に比べて小型化が容易であるため、集積回路などを構成する素子としてよく用いられている。特に、電界効果トランジスタの中でも金属酸化膜半導体（MOS）の構造をもったMOS型電界効果トランジスタ（MOSFET）は、論理回路の素子としてデジタル回路の多くに使用されている。

なお、バイポーラトランジスタが電子と正孔の2種類をキャリアとして持つのに対して、電界効果トランジスタは電子か正孔のいずれか1種類だけ扱うので、バイ（2）に対してユニ（1）を意味する「ユニポーラトランジスタ」とも呼ばれる。

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参照リンク
半導体/電子デバイス物理 - （甲南大学理工学部）

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電界効果トランジスタ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2023/03/04 03:43 UTC 版)

電界効果トランジスタ（でんかいこうかトランジスタ、Field effect transistor, FET）は、半導体の内部に生じる電界によって電流を制御する方式のトランジスタである。

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電界効果トランジスタ (FET)

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/04/27 07:03 UTC 版)

「ジョン・バートランド・ジョンソン」の記事における「電界効果トランジスタ (FET)」の解説

ジョンソンは、ユリウス・エドガー・リリエンフェルトの1928年アメリカ合衆国特許第 1,900,018号に基き電界効果トランジスタを最初に制作した一人であるとされている。 1949年の合衆国特許局への宣誓証言において、ジョンソンは「――変調度は 11 パーセントと良くないが、――有効出力は充分であり――原理的には増幅器として機能する」 としている。その一方で、1964年の記事においてジョンソンは、リリエンフェルトの特許の操作性を否定し、「私は、リリエンフェルトの機構を彼の設計に基づき再現することを慎重に試みたが、増幅も変調も確認できなかった」 とも述べている。

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「電界効果トランジスタ」の例文・使い方・用例・文例

• 高電子移動度を利用した超高速の電界効果トランジスタ