出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2019/03/15 14:10 UTC 版)
「トンネル電界効果トランジスタ」の記事における「理論・シミュレーション」の解説
2013年に行われたシミュレーションでは、InAs-GaSbを用いたTFETでは理想的条件下で33mV/decadeのサブスレッショルド振幅が可能であることが示された。
※この「理論・シミュレーション」の解説は、「トンネル電界効果トランジスタ」の解説の一部です。
「理論・シミュレーション」を含む「トンネル電界効果トランジスタ」の記事については、「トンネル電界効果トランジスタ」の概要を参照ください。
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