アイ‐ジー‐ビー‐ティー【IGBT】
読み方：あいじーびーてぃー
《insulated gate bipolar transistor》半導体素子の一種で、MOSトランジスターをバイポーラートランジスターのゲート部分に組み込むことで動作抵抗を小さくしたもの。大電力のスイッチングに向き、電力制御に用いられる。絶縁ゲート型バイポーラートランジスター。
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ
(IGBT から転送)
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2024/09/09 00:45 UTC 版)
絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ぜつえんゲートバイポーラトランジスタ、英: insulated-gate bipolar transistor、IGBT）は半導体素子のひとつで、NPNPの4層からなりMOSゲートSCRまたはMOSゲートサイリスタと同じ構造でありながら、全動作領域でサイリスタ動作を完全に抑え込み、トランジスタ動作のみをさせるように設計した、MOSゲートで電流を制御するバイポーラトランジスタである。電力制御の用途で使用される。
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- 2 絶縁ゲートバイポーラトランジスタの概要
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