半導体テクノロジによる分類
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/01/11 20:08 UTC 版)
「固体撮像素子」の記事における「半導体テクノロジによる分類」の解説
詳細は「CCDイメージセンサ」および「CMOSイメージセンサ」を参照 いわゆる半導体プロセス等の技術的方式からの分類である。現在、固体撮像素子の主流はCCDイメージセンサとCMOSイメージセンサである。いずれも光を検出して電荷を発生させるフォトダイオードを光電変換素子に使用するが、その構造の違いによる最も大きな特徴は、変換された電荷の転送方式が異なることである。CCDは隣同士で並んでいるセルに順番に電荷を受け渡すことで順次データを読み出す（シーケンシャルアクセス）方式のデバイスであるのに対し、CMOSセンサはメモリチップのようにロウとカラムで直接データを読み出す（ランダムアクセス）方式のデバイスであることである。構造の違いなどによる、両者の主な特徴をまとめると次のようになる。 表1 CCD/CMOSイメージセンサの特徴CCDCMOSノイズ 増幅用のアンプがひとつのため少ない 各フォトダイオードで増幅するため多い 電源 高駆動電圧が必要。必要電力も高め 低電圧駆動が可能 製造 専用プロセス要 標準CMOSプロセスで対応可 その他 システムオンチップ化が可能
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