半導体ひずみゲージ

FA用語辞典

半導体ひずみゲージ

読み方：ハンドウタイヒズミゲージ
【英】：semiconductor distortion gauge

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圧力センサ

次の原理によるひずみ計。ひずみによる半導体の結晶構造の変形によって電子の運動ポテンシャルが変化する。その結果、半導体中のキャリヤの移動度が変化し、電気抵抗が変化することを利用したもの。圧力センサで使用する場合、外部からの圧力によるダイヤフラムの変形に応じて、ゲージ抵抗部にひずみが発生することを利用し、圧力に比例した電圧出力を得る。

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半導体ひずみゲージ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/12/30 08:48 UTC 版)

「ひずみゲージ」の記事における「半導体ひずみゲージ」の解説

半導体ひずみゲージとは、半導体の電気抵抗率が応力により変化するピエゾ抵抗効果を利用したひずみゲージのことである。ゲージ率が金属ひずみゲージよりも高く、微小ひずみの検出や動的な衝撃測定に優れている。