半導体の物性・特性の測定手段
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2018/02/07 15:39 UTC 版)
「半導体工学」の記事における「半導体の物性・特性の測定手段」の解説
半導体の示す様々な物性は、研究開発や製造時の特性評価などにも利用されるほか、多くは半導体の用途にも深く関係する。 電気伝導度 ホール効果 PN接合やショットキー接合の特性：電流-電圧特性、空乏層容量、ゼーベック効果・ペルティエ効果、光起電力効果、エレクトロルミネセンス 組成や不純物：EDX、EPMA、SIMS、ICP 構造：光学顕微鏡、XRD、RBS、ラマン効果、SEM、TEM、AFM、XRF、SPM、SCM バンド構造など：光電効果・光電子分光、逆光電子分光、DLTS、フォトルミネセンス
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