半導体の圧抵抗効果

ウィキペディア小見出し辞書

半導体の圧抵抗効果

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2018/07/19 05:21 UTC 版)

「圧抵抗効果」の記事における「半導体の圧抵抗効果」の解説

半導体の圧抵抗効果は幾何効果よりも数桁大きくなることがあり、ゲルマニウムや多結晶シリコン、アモルファスシリコン、シリコンカーバイド、単結晶シリコンなどのような物質に見られる。これによって非常に高い感度の半導体歪ゲージが作れる。精密な測定では金属歪ゲージと比較して、半導体歪ゲージは一般に環境条件（特に温度）に敏感なため、扱うのが難しい。 シリコンでは、ゲージファクターは大多数の金属と比較して2桁大きい。