HEMTとは?

超高速半導体素子

超高速半導体素子

1980年昭和55年)、富士通世界初め開発した、高速・低雑音性に優れたトランジスタです。HEMTとは「High Electron Mobility Transistor」の略。処理速度高速のため、連続してデータ処理が必要である自動車レーダーシステム、携帯電話基地局カーナビなどに使われています。


HEMT (High Electron Mobility Transistor)


高電子移動度トランジスタ

(HEMT から転送)

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2018/10/03 01:12 UTC 版)

高電子移動度トランジスタ(こうでんしいどうどトランジスタ、High Electron Mobility Transistor)は、半導体ヘテロ接合に誘起された高移動度の二次元電子ガス(2DEG)をチャネルとした電界効果トランジスタのことで、英語の単語の頭文字を取ってHEMT(ヘムト)と呼ばれる。1979年に富士通研究所三村高志により発明された。構造上の特徴からヘテロFET (HFET、hetero-FET)、ヘテロ接合FET (HJFET、Hetero-Junction-FET)と呼ばれることもある。一般に化合物半導体で作製され、GaAs系、InP系、GaN系、SiGe系などがある。




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