キャリア移動度

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キャリア移動度

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2019/03/20 09:30 UTC 版)

「真性半導体」の記事における「キャリア移動度」の解説

真性半導体では、不純物のドーピングがされていないため、キャリアはイオン化不純物散乱の影響を受けない。その結果、ドーピングされている際と比較して、非常に高い移動度を示す。しかし、前述のように真性半導体ではキャリア密度が非常に低いため、これを利用した用途は限定される。ヘテロ構造による二次元電子ガスを利用した半導体素子(例えば、HEMT)の様な用途がある。