不純物散乱とは? わかりやすく解説

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ふじゅんぶつ‐さんらん【不純物散乱】

読み方:ふじゅんぶつさんらん

金属半導体不純物原子またはイオンによる自由電子散乱格子欠陥生じ電気抵抗原因となる。


不純物散乱

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2017/05/19 14:51 UTC 版)

フォノン散乱」の記事における「不純物散乱」の解説

質量数異な不純物による散乱は次で与えられる。 1 τ M = V 0 Γ ω 4 4 π v g 3 {\displaystyle {\frac {1}{\tau _{\mathrm {M} }}}={\frac {V_{0}\Gamma \omega ^{4}}{4\pi v_{\mathrm {g} }^{3}}}} ここで Γ は不純物散乱長の尺度vg分散曲線依存する

※この「不純物散乱」の解説は、「フォノン散乱」の解説の一部です。
「不純物散乱」を含む「フォノン散乱」の記事については、「フォノン散乱」の概要を参照ください。

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