アイ‐シー【IC】
読み方：あいしー
《integrated circuit》「集積回路」に同じ。
IC
読み方：アイシー
別名：集積回路，半導体集積回路
ICとは、回路素子をひとつのパッケージとしてまとめた回路のことである。1950年代にウィリアム・ショックレーやロバート・ノイス、ゴードン・ムーアらによって発明・製品化された。
ICは、半導体基板を土台として、ダイオードやトランジスタ、コンデンサ、抵抗などの回路素子を定着させ、それらを配線によって電気的につないでいる。集積方法によってモノシリックICやハイブリッドICなどに分類される。集積方法としては、当初はプリント基板に導線を差し込む挿入実装が行われていたが、最近では基板の表面に表面実装部品（SMD）と呼ばれる電子部品を接着する表面実装技術が普及している。
ICは、集積される素子の規模に応じて、LSI、VLSI、ULSI、などと区別されることがあった。しかし現在ではそのように呼び分けられることも少なくなっている。
集積回路(IC)
微小な半導体トランジスター(能動素子)やコンデンサー、抵抗(受動素子)を数ミリ角の小さなチップ(基板)上に多数配置し、印刷した配線でつないで、目的に合わせた複数の回路を一体に構成したものである。精密写真印刷の技術により同じものを同時に多数つくることが可能で、大量生産に向いている。使用するトランジスターによりバイポーラー型とMOS型があり、取り扱う信号の性質によりアナログ型、デジタル型がある。トランジスターそのものは数ミクロンのサイズに小さくなっており、1cm角のチップでは数百万個から1千万個を超えるトランジスターが集積されている。携帯電話機やコンピューターの急速な小型化にみられるように、情報通信の処理速度向上、電子制御機器の発展に大きく貢献している。
集積回路
(Integrated circuit から転送)
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2024/03/07 13:53 UTC 版)
集積回路（しゅうせきかいろ、英: integrated circuit, IC）は、半導体の表面に、微細かつ複雑な電子回路を形成した上で封入した電子部品である。
注釈
出典
- ^ a b c 1960年代初 国産ICのスタート
- ^ 城阪俊吉、私とハイブリッドマイクロエレクトロニクスの出会い -戦後40年のやきもの 『HYBRIDS.』 1988年 4巻 1号 p.2-20, doi:10.5104/jiep1985.4.2
- ^ 米誌に触発された電試グループ
- ^ 固体回路の一試作 昭和36（1961）年4月8日 電気四学会連合大会
- ^ 東大グループは「固態型論理回路」 半導体産業人協会 日本半導体歴史館 志村資料室 第II部
- ^ The Bipolar Digital Integrated Circuits Data Book, 日本テキサスインスツルメンツ
- ^ 原題: Introduction to VLSI Systems
- ^ Kim, Dae-Hyeong; Ahn, Jong-Hyun; Choi, Won Mook; Kim, Hoon-Sik; Kim, Tae-Ho; Song, Jizhou; Huang, Yonggang Y.; Liu, Zhuangjian et al. (2008-04-25). “Stretchable and Foldable Silicon Integrated Circuits” (英語). Science 320 (5875): 507–511. doi:10.1126/science.1154367. ISSN 0036-8075.
- ^ 福田哲生著 『はじめての半導体シリコン』工業調査会 2006年9月15日初版第1刷発行 ISBN 4769312547
- ^ 株式会社インプレス (2020年1月23日). “TSMC、5nmプロセス「N5」を2020年上半期に立ち上げ 〜6 nmは予定通り年内量産開始の見込み”. PC Watch. 2021年4月8日閲覧。
- ^ 株式会社インプレス (2021年1月18日). “TSMC、3 nmプロセスのリスク生産を2021年内にも開始”. PC Watch. 2021年4月8日閲覧。
- ^ 株式会社インプレス (2019年5月16日). “Samsung、3 nmプロセスで独自のGAAFET構造「MBCFET」採用へ ～6nmは年内、5nmを2020年より量産開始”. PC Watch. 2021年4月8日閲覧。
- ^ 株式会社インプレス (2020年1月30日). “【福田昭のセミコン業界最前線】 2020年も半導体はおもしろい(前編)”. PC Watch. 2021年4月8日閲覧。
- ^ 日経エレクトロニクス 2007年11月5日号「激安DRAMを活かす」 p.63
- ^ 株式会社インプレス (2020年3月26日). “Samsung、業界初のEUV採用DRAMモジュールの出荷開始”. PC Watch. 2021年4月8日閲覧。
- ^ “笠原一輝のユビキタス情報局ː Intel、第10世代Core発表。10nmプロセスで、L1が1.5倍、L2は倍増に”. 2021年4月26日閲覧。 “初期の計画では2017年末の出荷だったが、Kaby Lakeの微細化製品として計画されてきた同じ10nm採用のCannon Lakeがうまく立ち上がらず、結果的に事実上のスキップ(実際にはGPUなし版が細々と出荷されている)になり、2019年にずれ込んでしまうというかたちになってしまった。”
- ^ “笠原一輝のユビキタス情報局ː Intel、2023年の製品計画プランを延期。ゲルシンガー氏の新体制で強いIntelへの回帰なるか”. 2021/04.26閲覧。 “Intelの次の製造技術であり、TSMCの5 nmと同程度の性能を持っているとされる7 nmの製造計画は2022年に開始され、量産は2023年になると見られている。”
- ^ インテルCPUロードマップ 2016年中に10nmプロセスを量産、7nmは2019年 ASCIIデジタル2016年04月18日
- ^ ついに“ひと桁”、7 nmプロセス開発へ加速 EE Times Japan Weekly 2016年03月28日
- ^ “Broadwell-EP”こと「Xeon E5-2600 v4」が販売開始 ASCII 2016年04月01日
- ^ ASCII. “アップル異例の「順番入れ替わり」、それでも「プロセッサー自前開発」で強みを見せる (1/2)”. ASCII.jp. 2021年4月8日閲覧。
- ^ New nano logic devices for the 2020 time frames
- ^ マイクロ分光素子を用いたイメージセンサの高感度化技術を開発 Panasonic Newsroom プレスリリース 2013年2月4日
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