ダイオード
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/01/01 07:13 UTC 版)
語義の拡張
ダイオードを広義の整流子（一方通行化素子）と捉えた表現が使われる事がある。 光子の移動を制御する「光ダイオード[10]」（フォトダイオードとは別）、伝熱を制御する「熱ダイオード[11]」などで、原理も構造も電子のダイオードとは異なる。 また、ダイオード素子を活用した片方向ゲートウェイが、「データダイオード[12]」と呼ばれている。
脚注
参考図書
- 最新ダイオード規格表 各年度版 （CQ出版社）
関連項目
外部リンク
注釈
- ^ 現代の半導体工学からの視点では、探る過程で表面が荒らされること自体に意味がある。
出典
- ^ Frederick Guthrie (October 1873) "On a relation between heat and static electricity," The London, Edinburgh and Dublin Philosophical Magazine and Journal of Science, 4th series, 46 : 257-266.
- ^ 1928 Nobel Lecture: Owen W. Richardson, "Thermionic phenomena and the laws which govern them", December 12, 1929
- ^ Thomas A. Edison "Electrical Meter" アメリカ合衆国特許第307,030号 Issue date: Oct 21, 1884
- ^ “Road to the Transistor”. Jmargolin.com. 2008年9月22日閲覧。
- ^ Ferdinand Braun (1874) "Ueber die Stromleitung durch Schwefelmetalle" (On current conduction in metal sulphides), Annalen der Physik und Chemie, 153 : 556-563.
- ^ Karl Ferdinand Braun. chem.ch.huji.ac.il
- ^ “Diode”. Encyclobeamia.solarbotics.net. 2006年4月26日時点のオリジナル[リンク切れ]よりアーカイブ。2014年1月2日閲覧。
- ^ Sarkar, Tapan K. (2006). History of wireless. USA: John Wiley and Sons. pp. 94, 291–308. ISBN 0-471-71814-9
- ^ 五十嵐 征輝 (2011). パワー・デバイスIGBT活用の基礎と実際 MOSFETとトランジスタの特徴を活かしたスイッチング素子. Tōkyō: CQ出版. ISBN 9784789836098. OCLC 752002563
- ^ 液晶を使って光ダイオードを作製 東京工業大学
- ^ サーモエレクトロニクスを指向した基礎材料の開発 科学技術振興機構
- ^ データダイオード Waterfall片方向セキュリティゲートウェイ 東芝（インダストリアルICTソリューション社）
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