ショット雑音とは? わかりやすく解説

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ショット雑音

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2018/12/15 00:29 UTC 版)

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デジタル写真における光子ショット雑音のシミュレーション。

ショット雑音(ショットざつおん、ショットノイズ、Shot noise)とは、回路ノイズの一種である。電気回路における電子や光学装置における光子のようなエネルギーを持った粒子の数が極度に小さい場合、粒子数の統計的変動が測定にかかるほど大きくなるために発生する。ショット雑音は電子工学電気通信、基礎物理学の分野で問題にされる。

ショット雑音の大きさは光強度電流平均値に比例する。普通平均値は信号そのものを指すが、平均値が増えるとき、信号レベルは雑音レベルよりも早く増加する。したがって、多くの場合、ショット雑音は電流や光強度が小さいときにしか問題にならない。

ある時間内に検出される光子数の平均値は光源の強さから決まるが、実際に検出される数は平均値と等しい場合もあれば大きくも小さくもなる。平均値を中心とするその分布はポアソン分布になる。事象の数が大きくなるにつれポアソン分布は正規分布に近づくので、非常に多数の光子を測定すると、信号に含まれる光子雑音は正規分布に近づく。 事象の間に相関がない場合、ショット雑音は理想的なホワイトノイズである。

ポアソン分布の性質から、光子雑音の標準偏差は光子数の平均の平方根に等しいことが示せる。したがってSN比は次の式で表される。

ここでは検出される光子数の平均である。を大きくすれば、SN比もそれにつれて大きくなる。このことから、光子数が小さいときに光子雑音が相対的に重要になることが分かる。

解説

電子素子におけるショット雑音

電子素子におけるショット雑音は素子を流れる電流のランダムなゆらぎである。電流を担う電子が離散的な存在であり、連続的な定常流を作れないことがその本質である。pn接合で問題になることが多いが、どのような素子においても生じており、電荷が時間的に局在していない場合にも存在する。

ショット雑音は平衡状態の電流ゆらぎとは区別すべきである。後者は電圧がなく、時間平均すると電流値がゼロである時にも発生する。そのような平衡状態の電流ゆらぎはジョンソン・ナイキスト・ノイズと呼ばれる。

ショット雑音はポアソン過程であり、電流を担う電荷はポアソン分布に従っている。電流ゆらぎの標準偏差は

と書かれる。ここで電気素量は素子を流れる電流の平均値である。 それぞれの量は国際単位系で表されているものとする。電流100mAに対して、上式は

の値を与える。もしこのノイズ電流が単純な抵抗器を流れたならば、ノイズ電力は次の式で表される。

電荷が完全に時間的に局在しているわけではないが、時間領域のような分布(の時間積分は1とする)を持つ場合には、ノイズ電流のパワースペクトル密度

となる。ここでフーリエ変換である。

ノート

ショット雑音と熱雑音はどちらも量子雑音である。研究者によっては、両者を統一された概念とみなしている [1]

量子光学におけるショット雑音

量子光学においては、ショット雑音の原因は検出される光子数のゆらぎである。したがって、ここでもやはり、エネルギー(この場合、電磁場が持つエネルギー)が離散化されている結果として生じるものだと言える。ショット雑音は量子雑音の主体である。光子数個レベルの測定が可能な光電子増倍管の信号にはショット雑音が現れるが、もっと強度の高い光をフォトダイオードと時間分解能の高いオシロスコープを用いて測定している時にも現れる。検出器の光電流は光強度(光子の数)に比例するので、測定される電流にはこの種のゆらぎが含まれるのが普通である。

レーザーのようなコヒーレント光源の場合には、ショット雑音は強度の平均の平方根に比例する。

Similar lower bound of quantum noise takes place for linear quantum amplifier. The only exception being if a squeezed coherent state can be formed through correlated photon generation. The reduction of uncertainty of the number of photons per mode (and therefore the photocurrent) may take place just due to the saturation of gain; this is intermediate case between a laser with locked phase and amplitude-stabilized laser.

空間電荷

低ノイズ能動素子では、電荷間の静電的な反発力によってショット雑音を抑制する設計になっている。光子素子の場合にはこのような空間電荷によるノイズ低減機構は存在しない。

参考文献

  1. ^ R. Sarpeshkar, T. Delbruck, and C. A. Mead, "White noise in MOS transistors and resistors", IEEE Circuits Devices Mag., pp. 23–29, Nov. 1993

外部リンク


ショット雑音

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/04/02 21:21 UTC 版)

極端紫外線リソグラフィ」の記事における「ショット雑音」の解説

5 mJ/cm2の線量感度は、およそ数千程度EUV光子だけがそのような小さな領域蓄積することを示唆している。光子ランダムな到着時による自然なポアソン分布で、約40nm未満形状にとって露出プロセス基本的に制御したくする少なくとも数パーセント3シグマ期待された自然な線量変化がある。線量増加させることはショット雑音を縮小するが、一方でさらにフレア線量増加させ、より多く自由電子生成するだろう。自由電子減速し停止するまで拡散するだろう。自由電子密度初期光子密度より低いので、ショット雑音はEUV線量を単に考慮することから想定されるよりも常に実質的に大きい。 2008年インテル10億30 nm接点印刷するために、±16 %の線量エラー(@10 mJ/cm2)がEUVショット雑音から期待される推定した厳しい集計では、変動は±20 %まで増加する。この問題22 nmパターン統合影響与えるだろう。1nmピクセル内を検討した場合、ショット雑音が一層明白になり(>100% on 10 nm scale @10 mJ/cm2)、EUVリソグラフィにおける線端粗さ(line edge roughness:LER)の由来問題がより明確になる電荷捕捉のための2次元絶縁を伴う浮遊ゲートフラッシュメモリパターン同様にDRAM論理マイクロプロセッサ(11nmノードでの複合パターンカットを含む)でしばしばみられる2次元パターンは、線種形状よりショット雑音の影響をより受けやすい。それは、2次元パターン(理想的な長方形)が、あるしきい線量近辺露光した限定領域における光子の数として定義されいるからである。 形状直径 (nm)100万形状にわたる5%線量誤差避けるための最小線量 (mJ/cm2)ターゲット線量 (mJ/cm2)ターゲット線量処理能力 (300 mm WPH)40 12 5 - 28 24 10 6-60 20 47 15 50-125 14 96 20 125 10 187 20 165 5 %線量誤差は~ 1 nmCDエラー帰着する判明した100万接点母集団における5 %線量誤差避けるための最小線量すべての世代で2倍となっているが、産業における目標線量は追いいていない。少なくとも最小線量達成するために、処理能力は同じ比率低減されるだろう。1ppmの母集団平均線量から5の標準偏差である。参考に、Nvidia2011年次のように報告したビア欠陥レベル10億分の1である必要があり、その結果上記最小線量はより厳密になる必要があるだろう。参照: SPIE Proc. 8326-96, 8683-36, 8679-50 (2013) 部分的なコヒーレント光源は、数百から数千の点のそれぞれ独立した光子源の集合としてしばしば表現される。更に、一方光源による異な入射角に対して多層反射率非対称変化は、他方よるものより実質的に明るい 。10光子/nm2の線量における100万個の光子は(例え100光源 x 10000光子/点)、100,000 nm2の領域(~ 300 nm x 300 nm)をカバーしはるかに理論分解能超過する。 ショット雑音は、前に述べたEUV光源出力問題に強い影響がある。10 mJ/cm2では、中間焦点における出力は180 Wでなければならないが、現状負荷サイクルにおいてそれはおよそ20 Wである。しかし、有意なショット雑音は最小線量20 nm形状サイズ少なくとも47 mJ/cm2(例えば20nmを20nmの半ピッチ線で切る)10 nm形状サイズでは187 mJ/cm2(例え10 nm接点14 nmの半ピッチ線で切る)でなければならず、それゆえEUV光源出力かつてないほど達成困難になりつつある目標であることを示している。さらに、もし線量少なくとも3倍増加するならば、レジストポリマーの架橋結合はより重大になる後述するように、高い吸光度のため、加熱することはより深刻である。化学増幅型レジストにとって、酸発生分解acid generator decomposition)のため線量露光が強いと線端粗さ増大する。ショット雑音は、ネガ型の金属酸化レジストをもつ、コンタクトホール・パターンに使用される明視露光いくらか緩和するかもしれないフレア線量が高い明視露光においてより深刻な影響(像のコントラスト失わせる)を持っている 。HSQレジスト軟X線露光は、100 mJ/cm2レンジにおける線量増加のため露光限界越え増加反応関係した50 - 70 nm線幅増大示している。 ショット雑音問題EUV使用された、20 nm以下のマスク上に描画され形状適用できる。(ウェーハ上に20nmをプリントするため)マスク上の80 nmコンタクトホールパターンに使用される12 uC/cm2の吸光線量では、そのようなコンタクトホールが10億越え線量レベルにおいては必然的に10 %のショット雑音に遭遇するEUV空間計測システム(Aerial Image Metrology System:AIMS)メーカーであるカール・ツァイスは、18 nmピクセルあたり15,000光子(68 mJ/cm2に相当する)が十分なCD忠実度のために必要であると近年結論出している。

※この「ショット雑音」の解説は、「極端紫外線リソグラフィ」の解説の一部です。
「ショット雑音」を含む「極端紫外線リソグラフィ」の記事については、「極端紫外線リソグラフィ」の概要を参照ください。

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