温度依存性
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2020/08/26 06:19 UTC 版)
標準組成のM2052制振合金の制振性能は80℃を限界に高温域において特性が劣化する。 また、Mn,Cu,Ni,Feの組成を増減することで限界温度を高温シフトする研究が進んでいる。
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温度依存性
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2018/05/30 21:02 UTC 版)
水の自己解離は吸熱的であるため自己解離定数は温度の上昇と伴に増大する。ギブス自由エネルギーの温度変化とエンタルピー変化の間には以下の関係があり、 ( ∂ ( Δ G / T ) ∂ T ) P = − Δ H T 2 {\displaystyle \left({\partial (\Delta G/T) \over {\partial T}}\right)_{P}=-{\Delta H \over {T^{2}}}} ( ∂ ln K a p ∂ T ) P = Δ H ∘ R T 2 {\displaystyle \left({\partial \ln K_{\mathrm {ap} } \over {\partial T}}\right)_{P}={\Delta H^{\circ } \over {RT^{2}}}}
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温度依存性
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/11/26 01:41 UTC 版)
ファントホッフ・プロットは、エンタルピーとエントロピーが温度変化に伴って一定であるという暗黙の前提に基づいた線形プロットである。しかし、ある場合には、エンタルピーとエントロピーは温度によって劇的に変化する。一次近似では、2つの異なる反応生成物が異なる熱容量を持つと仮定します。この仮定を組み込むと、温度の関数としての平衡定数の式中に追加項c/T2が得られる。多項式当て嵌めは、反応の標準エンタルピーが一定でないことを示すデータを分析するために使用することができる。 ln K e q = a + b T + c T 2 , {\displaystyle \ln K_{\mathrm {eq} }=a+{\frac {b}{T}}+{\frac {c}{T^{2}}},} 上式において Δ H = − R ( b + 2 c T ) , Δ S = R ( a − c T 2 ) {\displaystyle {\begin{aligned}\Delta H&=-R\left(b+{\frac {2c}{T}}\right),\\\Delta S&=R\left(a-{\frac {c}{T^{2}}}\right)\end{aligned}}} である。 このように、反応のエンタルピーとエントロピーは、温度依存性がある場合でも、特定の温度で決定することができる。
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温度依存性
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2020/06/27 09:00 UTC 版)
反応速度の係数（k1, k2 など）は温度に依存し、一般的に次に示すアレニウスの式によって与えられる。 k = A exp ( − E a R T ) {\displaystyle k=A\exp \left(-{\frac {E_{a}}{RT}}\right)} ここで Ea は活性化エネルギー、R は気体定数である。温度 T において分子はボルツマン分布に基づくエネルギーを持つことから、Ea を超えるエネルギーが供給される衝突の回数は exp (-Ea /RT ) に比例することがわかる。A は頻度因子または前指数項と呼ばれる。 A や Ea の値は反応によって異なる（よって、例えば k1 と k2 は異なる値をとる）。アレニウスの式は経験式であるため、より複雑な、この形に従わない、他の速度定数の温度依存性を記述する式も存在する。たとえば、分子衝突説、遷移状態説などの理論によれば、指数 0 ≤ m ≤ 1 を用いて次のように表される。 k ∝ T m exp ( − E a R T ) {\displaystyle k\propto T^{m}\exp \left(-{\frac {E_{a}}{RT}}\right)} ただし一般に m << E /RT であるため、アレニウスの式が成り立つとみなしてよいとされる。
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温度依存性
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2022/05/09 07:58 UTC 版)
酸化膜厚が閾値電圧に影響するのと同様に、温度もCMOSデバイスの閾値電圧に影響する。基板効果の式の一部を展開すると、 ϕ F = ( k T q ) ln ( N A N i ) {\displaystyle \phi _{F}=\left({\frac {kT}{q}}\right)\ln {\left({\frac {N_{A}}{N_{i}}}\right)}} ここで ϕ F {\displaystyle \phi _{F}} は接触電位の半分、 k {\displaystyle k} はボルツマン定数、 T {\displaystyle T} は温度、 q {\displaystyle q} は電気素量、 N A {\displaystyle N_{A}} はドーピングパラメータ、 N i {\displaystyle N_{i}} は基板の真性キャリア濃度である。 表面ポテンシャルは温度と直接的な関係であることがわかる。上を見ると、閾値電圧は直接的な関係はもたないが、しかし効果に無関係ではない。この変化はドーピングレベルに依存して一般的に−4 mV/Kと−2 mV/Kの間である。30 °Cの変化では、これは90 nmテクノロジーノードで一般的に用いられる500 mV設計パラメータから大きく変わる。
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温度依存性
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/05/08 09:07 UTC 版)
一般に、液体の粘度は温度が上昇すると低下し、気体の粘度は温度が上昇すると上昇する。潤滑油では、粘度指数 (VI) で、高温・低温の粘度を規定している。固体から液体への転移は粘度の急激な低下という見方もでき、粘度で軟化温度などを定義することもある（例：ガラス）[要ページ番号]。 なお、圧力依存性については、気体では小さいとされている。 粘度と温度の関係を表す式がいくつか提案されている。以下、T は絶対温度を表す[要ページ番号]。
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温度依存性
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/11/19 01:06 UTC 版)
キュリー温度以上の温度領域では、誘電率はキュリー・ワイスの法則に従って下記のように変化する。 ϵ = C T − T c {\displaystyle \epsilon ={\frac {C}{T-T_{\mathrm {c} }}}} なお、秩序‐無秩序型では温度が上昇してキュリー温度に近づくにつれ自発分極は連続的に減少して0となる。これは「二次相転移」と呼ばれる。また、変位型ではキュリー温度で不連続に分極量が変化するため、「一次相転移」と呼ばれる。詳しくは相転移の該当する記事を参照のこと。 変位型のキュリー温度付近での誘電率変化は右の図のように急峻だが、多結晶などで局所的な転移温度に差があるとなだらかな変化を示す。また、リラクサーと呼ばれる特殊な強誘電体では、誘電率のピーク温度が外部電場の周波数に左右されるという興味深い現象が見られる。
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