十数nmとその先の時期とは? わかりやすく解説

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十数nmとその先の時期

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/04/02 21:21 UTC 版)

極端紫外線リソグラフィ」の記事における「十数nmとその先の時期」の解説

ハイニックスは、ダブルパターニングを使用した193nmの液浸リソグラフィが~20nm以下に解像でき、その一方でよりコスト意識したEUVアプローチが、28nmを下回る程度にしかならず、193nmの液浸リソグラフィシングルパターニングの38nmの解像限界越え世代改善満たない見出した。 その現在の解像限界準備不足のため、EUVL近年現在の20nmクラスNANDフラッシュ技術世代選択するリソグラフィのような既存液浸リソグラフィツールを使用したマルチパターニングにとって変えられている。サムスンIM Flash Technologies3x nm2x nmNANDフラッシュのためにスペーサダブルパターニングを既に使用し始めた東芝サンディスクは19nmNANDフラッシュ2011年に既に開始している。現状EUVシングル露光解像度依然22nmを越えており、EUVまたはArF波長使用するかかわらずマルチパターニングは~10-14nmにおいては必要である。IEDM 2011では、ハイニックス四重のスペーサパターニングを使用した十数nm NANDテクノロジー発表する期待されている。 2009年9月には、インテルは、15nmのプロセスについては、EUV時宜を得た方法準備ができているように見えないことを明らかにした。従ってインテルは、15nmまで倍、および恐らく3倍のパターニング備えた193nmの液浸リソグラフィ拡張する準備をしている。現在では、11nmの論理ノード対すEUV実現可能性追求しているが、2次元コンタクトパターニングは、改善した線幅粗さのための特別な洗浄処理が非常にピッチ依存しているようである一方で依然~26nmハーフピッチにおいてのみ良好あるようである。インテルは、EUV使用せずとも、それが11nmのノード今までどおり193nmの液浸リソグラフィ使用できる明言した2010時点で、所要EUV検査装置開発可能になるため、2015年までEUVが遅れるであろう見られていた。他方では、メーカー工程表EUV使用することを妨げ2012-2013が1x nm必要な時期であると示している。EUVL長期的な推進検討は今10nm以下のデザインルールを検討する必要があるだろう。しかしながら現時点では、より大きな電場ベクトル角度により、分極効果重要になる分極効果により10nmのハーフピッチ・ライン・スペース用の有効なフレア11%である。EUV難しさ偏光制御(レーザー源が無くプラズマのみ)の不足である。 ASMLは、16nm以下の性能現状6度より大きい照射軸が必要とされる指摘しそれゆえ現在のEUV多層光学基盤対す根本的変化が必要とされるとりわけ、アポディゼーション(軽度入射瞳越えた強度不均一性)は、異な角度での異な反射率により、より高い開口数(NA)ではより深刻となる。 キヤノン第1回国際EUVLシンポジウムにおいて、高いNAをもつEUVシステム大角範囲アクセスされるため、2つ異な偏光間でシステム透過率大き相違を表すだろうと示した実際、8波長以下のEUVマスクピッチにおいては大角度での多層膜への回折は、徹底的な計算評価要求する深刻なイメージ劣化別の原因である。大角度では、多層反射率著しく減少する別の問題は、10nm以下での利用においては、既に処理能力問題悩まされている、EUVマスクパターニングの電子線リソグラフィ解像度要求適合させる実用的なレジスト困難性持っていることである実際のところ、20nm以下では、現在の電子線マスク描画装置マスク上に80nmサイズ繰り返し供給することができない近年EUVゾーンプレートリソグラフィ評価サブ20nmハーフピッチのものであり、次世代リソグラフィがダブルパターニングを必要としても実際のところ、ダブルパターニングはサブ12nmハーフピッチでさえ満足しないだろう。結果としてオーバーレイ処理能力必要条件は、以前より少なくとも2倍厳格な必要があるだろう。 2011年のLithoVisionコンファレンスにおいて、インテルは、EUV技術インテルの10nmのデザイン・ルール計画に既に遅れることを示したASMLは、10nmイメージングに至るまで13.5nmのEUV波長使用されるはずであり、さらにより高い解像度において6.6~6.8nmの新しEUV波長使用される提言した2015渡って現在計画され装置は、15nmの解像度達すると予定されていない。。 サイマー自社の20W光源出荷2012年第一四半期から第二四半期まで延期したサムスンまた、自社EUV2013年の後に延期した同様にGlobalFoundriesTSMCは20nmを越えEUV使用延期した2012年始め時点で、EUVは、光源出力欠陥オーバーレイレジストおよびマスク領域で残る重要な問題持っている2012年7月時点で、6式のNXE:3100(現在製造中止)および11式のNXE:3300がプロセス開発用発注され、4式のNXE:3300が生産目的としている。後者発注サムスンSKHynixとの間で分けられた。

※この「十数nmとその先の時期」の解説は、「極端紫外線リソグラフィ」の解説の一部です。
「十数nmとその先の時期」を含む「極端紫外線リソグラフィ」の記事については、「極端紫外線リソグラフィ」の概要を参照ください。

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