NAND型フラッシュメモリとは? わかりやすく解説

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NAND型フラッシュメモリ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/05/03 16:41 UTC 版)

NAND型フラッシュメモリ(ナンドがたフラッシュメモリ、NANDフラッシュメモリ)は、不揮発性記憶素子のフラッシュメモリの一種である。


注釈

  1. ^ NAND型の初期では、1ページ当たり512バイト(ユーザデータ)+16(冗長エリア)=528バイト、1ブロック当たり32ページ=16,896バイト(ユーザデータ16,384バイト)が一般的だった。
  2. ^ 層が薄くなる模式図がよくあるが、層に亀裂が生じるイメージがより近い。層そのものがさらに薄くなるわけではない

出典

  1. ^ a b c d e SHG2A, p. 3.
  2. ^ a b c d SHG2A, p. 4.
  3. ^ a b 松川 2011, p. 24.
  4. ^ a b 松川 2011, p. 25.
  5. ^ 竹内健 (2008年4月21日). “HDD完全代替に向けてOSによる対応が急務”. 日経エレクトロニクス: 67-77. オリジナルの2016-01-14時点におけるアーカイブ。. https://web.archive.org/web/20160114133006/http://techon.nikkeibp.co.jp/article/FEATURE/20090219/165972/ 2012年2月13日閲覧。. 
  6. ^ 故障メカニズム”. 東芝セミコンダクター&ストレージ (2011年4月). 2012年2月24日閲覧。[リンク切れ]
  7. ^ 出典:日経マーケット・アクセス[要文献特定詳細情報]
  8. ^ “Micron、16nmプロセス/128GbitのNANDフラッシュをサンプル出荷開始”. PC Watch. http://pc.watch.impress.co.jp/docs/news/20130717_607916.html 2013年7月17日閲覧。 
  9. ^ “東芝メモリ:前途多難、1日売却 半導体価格下落の恐れも”. 毎日新聞. (2018年5月31日). https://mainichi.jp/articles/20180601/k00/00m/020/106000c 2018年6月2日閲覧。 


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