モスフェット【MOSFET】
読み方：もすふぇっと
《metal-oxide semiconductor field-effect transistor》⇒モストランジスター
MOS-FET(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)
電界効果型と呼ばれるトランジスターの一種。高周波特性に優れ、大規模ICに多く使われるが、オーディオ用や電力用もある。アンプの出力段に使われるのがパワーMOS-FETで熱暴走を起こしにくく低歪率なことが特徴。
（執筆：オーディオビジュアル評論家 高津修）
※この情報は「1999～2002年」に執筆されたものです。
MOSFET
読み方：モスエフイーティー，モスフェット
別名：MOS型電界効果トランジスタ，MOS型FET
MOSFETとは、電界効果トランジスタ（FET）のうち、金属酸化膜半導体（MOS）の構造を持ったもののことである。
MOSFETは、半導体基板上に絶縁体となる酸化膜を形成し、その上に導体である金属を蒸着させた構造となっている。金属上にはゲート電極が設けられており、ゲートに電圧を加えると酸化膜の下で電流が流れるようになっている。ゲートへの電圧入力によって電流の流れが容易に制御できるため、MOSFETは高速でスイッチングを行う論理回路などに適しているといわれる。また、ゲートが絶縁されているため、入力インピーダンスが高く、消費電力を抑えることができる。
MOSFETにはp型とn型があり、それぞれPMOSFET、NMOSFETと呼ばれている。また、PMOSFETとNMOSFETの両方をひとつの回路に持っているものはCMOS（Complementary MOS）と呼ばれる。
MOSFETは、電界効果トランジスタとしてデジタル回路・アナログ回路のどちらにでも使用することができる。現在の論理回路はMOSFETが主流として用いられている。
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MOSFET
(metal-oxide semiconductor fieldeffect transistor から転送)
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2023/04/11 08:40 UTC 版)
MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ・英: metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）は、電界効果トランジスタ (FET) の一種で、LSIの中では最も一般的に使用されている構造である。材質としては、シリコンを使用するものが一般である。「モス・エフイーティー」や「モスフェット」と呼ばれたり、「MOS-FET」と記述されることもあり、IGFET[注釈 1]やMISFET[注釈 2]がMOSFETとほぼ同義で用いられることがある。ユリウス・エドガー・リリエンフェルトが考案した。
注釈
出典
- ^ 「微細MOSFETとパワーMOSFETの違い」 [1]
- ^ 佐野昌 2009.
- ^ 「パワーMOSFETを使った設計 よくある問題や故障モードの回避方法」著者: ピーター B. グリーン（infineon） 18ページ
- ^ 大豆生田 利章「アーリー電圧の導出について」『群馬高専レビュー』第28巻、国立高等専門学校機構群馬工業高等専門学校、2009年、19-23頁、doi:10.51030/krev.28.0_19。
- ^ a b MOSFETのボディーダイオードとは (マクニカ)
- ^ 西久保靖彦 2003.
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