EKV_MOSFET_Modelとは? わかりやすく解説

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EKV MOSFET Model

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2025/11/12 09:38 UTC 版)

EKV Mosfet Model はMOS電界効果トランジスタの特性を表現する数学的モデルで、回路シミュレーションやアナログ回路設計で利用されることを目的としたものである[1]。 このモデルは C. C. Enz、F. Krummenacher、E. A. Vittoz (彼等3名の頭文字をとってEKVとした)らが1980年代に行った仕事の集大成として1995年頃に開発されたものである[2]。 MOSFETの特性を電圧の2乗特性で表現する 2乗モデル (Quadratic Model)とは異なり、EKV ModelはMOSFETが閾値領域(例:Vbulk=Vsource の条件でかつ Vgate-source < VThresholdの時)での動作も正確に表現できる。加えて、サブミクロン CMOS IC 設計で取り扱う多くの特別な効果も正確に表現している。

参考文献

  1. ^ Enz, C. C.; Krummenacher, F.; Vittoz, E.A. (1995), “An Analytical MOS Transistor Model Valid in All Regions of Operation and Dedicated to Low-Voltage and Low-Current Applications”, Analog Integrated Circuits and Signal Processing Journal on Low-Voltage and Low-Power Design 8: pp. 83-114, July 1995 
  2. ^ Enz, C. C.; Krummenacher, F.; Vittoz, E.A. (1987), “A CMOS Chopper Amplifier”, IEEE Journal of Solid-State Circuits 22 (3): pp. 335-342, June 1987 

関連項目

外部リンク

  • Web Page of Christian Enz [1]
  • Web Page of François Krummenacher [2]
  • About Eric Vittoz [3]
  • Main Web Page for the EKV Model [4]



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