シリコンドリフト検出器とは?

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シリコンドリフト検出器 SDD: silicon-drift detector

EDS検出器一種通常のSi(Li)検出器比べ数十倍高い計数率測定ができるため、プローブ電流大きくして短時間分析を行うことができる。したがって、熱電子銃、あるいはショットキー電子銃搭載したSEMとの組み合わせが有効である。エネルギー分解能は、Si(Li)検出器とほぼ同程度が得られるが、低エネルギーX線感度は低い。液体窒素冷却不要で、ペルチェ冷却での動作が可能である。この結果電源投入後、使用可能になるまでの時間も短い。

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シリコンドリフト検出器

略語SDD
【英】:silicon drift detector

エネルギー分散型X線検出器のひとつ。入射X線によって、Li拡散させたP型Siから発生した電子を、同心円状電位勾配を持った電極構造により効率よくアノードに導くようにした素子で、Si不純物コントロールによって、熱ノイズ減少が図られており、ペルチェ冷却による−15程度冷却使用できる。SDD利点は、分解能SSD同程度で、SSD比較して計数率は1上高い(>1×105cps)ことである。EDS装置検出器に使われる。

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シリコンドリフト検出器

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2016/10/09 02:51 UTC 版)

シリコンドリフト検出器(シリコンドリフトけんしゅつき、Silicon Drift Detector、SDD)は、エネルギー分散型X線検出器(Energy Dispersive X-ray Detector)の一種であり、半導体検出器である。従来のシリコン半導体検出器(Si(Li)検出器)に比べ、同じエネルギー分解能で、高計数での処理が可能である。つまり、良いエネルギー分解能を維持したまま、多くのX線を計数することが可能である。さらに、ペルティエ素子での冷却による動作が可能であるため、液体窒素による冷却が必要ないので、検出器全体が小型かつ軽量である。






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