シリコン半導体検出器
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2018/09/25 23:12 UTC 版)
「半導体検出器」の記事における「シリコン半導体検出器」の解説
Si(Li)半導体検出器とシリコンドリフト検出器がある。主に、エネルギー分散型X線分析で用いられることが多い。放射線分野では、分解能に優れているので核種の同定などに威力を発揮し、特に低エネルギー領域の測定に用いられる。測定の方法はGe半導体検出器と変わらない。 Si (Li) 半導体検出器（略称：SSD） Siの結晶にLiをドリフトした検出器で、こちらは100eV程度から20 keV程度までのX線の分解能に優れ、検出効率はほぼ100%である。しかしGe半導体検出器と違いSiは原子番号が小さいため、最大50 keV程度までのX線が測定の限界である。 目的の性能で使用するためには、液体窒素温度まで冷却する必要がある。 シリコンドリフト検出器(略称：SDD) Siにドリフト電圧を印加した検出器である。Si(Li)に比べ、高エネルギー側の感度が悪いが、高いエネルギー分解能を維持したまま、多くのＸ線を計数することが可能である。近年、エネルギー分散型X線分析では、SDDが主流となってきている。液体窒素温度まで冷却する必要がなく、ペルチィエ冷却で使用できるため、小型かつ軽量となっている。
※この「シリコン半導体検出器」の解説は、「半導体検出器」の解説の一部です。
「シリコン半導体検出器」を含む「半導体検出器」の記事については、「半導体検出器」の概要を参照ください。
ウィキペディア小見出し辞書の「シリコン半導体検出器」の項目はプログラムで機械的に意味や本文を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。
お問い合わせ。
- シリコン半導体検出器のページへのリンク
