窒化インジウム
窒化インジウム
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2015/06/15 02:14 UTC 版)
窒化インジウム（ちっかインジウム、indium nitride）は、インジウムと窒素からなる化学式InNの半導体である。バンドギャップが小さく、太陽電池や高速エレクトロニクスに用いられる[2]。InNのバンドギャップは、現在では温度に応じ〜0.7 eVであることが分かっている[3]（かつては1.97 eVとされていた）。有効電子静止質量は、高磁場での測定で[4][5]m*=0.055 m0と求められた。窒化ガリウムとの三元合金である窒化インジウムガリウム (InGaN) は、赤外線 (0.69 eV) から紫外線 (3.4 eV) の範囲の直接バンドギャップを持つ。
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