スパッタリングとは? わかりやすく解説

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スパッタリング【sputtering】


スパッタリング sputtering


スパッタリング

 原子あるいはイオン個体ターゲット表面衝突させた際に、その個体表面原子外部放出される現象をいい、この放出され原子対向する基板堆積することにより薄膜形成する種々の材料比較容易に作製でき、回路素子構成等のための技術として工業的に積極的に利用されている。スパッタリングの手法として、マグネトロンスパッタリング、高周波(RF)スパッタリングなどがある。

スパッタリング

筆やステンシルブラシなどを使って作品表面絵の具のしぶき飛ば方法です。

飛滴がとても細かくそれほど広く飛びません。

飛滴がやや大きいものが増え、やや広く飛びます

飛滴が大きいものが増え広く飛びます

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スパッタリング

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/05/12 01:27 UTC 版)

スパッタリングSputter deposition)は、




「スパッタリング」の続きの解説一覧

スパッタリング

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/05/07 03:01 UTC 版)

フィルム」の記事における「スパッタリング」の解説

蒸着よりも高い精度金属などを付着させる手法真空中付着させようとする物質高エネルギー照射し飛び出した粒子フィルムに付着させる導電性付与加工では、インジウム-錫酸化物などをスパッタリングでフィルム表面に付着させる。厚みの均一成型容易だが、蒸着比較してコストが高いのが難点

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スパッタリング

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2020/02/21 06:11 UTC 版)

二次イオン質量分析法」の記事における「スパッタリング」の解説

真空中置かれた固体表面一次イオンビーム照射すると、イオン電子に比べるとはるかに重いため、スパッタリングが起こる。一般的には直径10μm深さ1μm程度スパッタされる。一次イオンプローブ径小さなイオン源用いれば面内不純物分布測定できる。 スパッタリングによって二次イオン中性原子電子などが真空中放出される。この放出されイオン二次イオン呼ばれる。このイオン化過程未解明部分多く放出される二次イオンの数は中性原子比べるとはるかに少ない。よって高感度測定のためには、超高真空下で測定しなければならない希ガスはほとんどイオン化されないため通常は分できない窒素もほとんどイオン化しないが、炭素存在する場合CN-として効率よくイオン化されるため分析可能である。 スパッタリングの結果固体表面にはクレーター形成するクレーター側壁から生じイオン検出してしまうと、深さ方向分析がしたくても表面元素影響残ってしまう。よってクレーター中心部から発生したイオンのみを検出することが重要である試料絶縁体のときは、一次イオン照射によって試料表面正に帯電する。帯電すると試料表面電位変化するため、放出される二次イオンエネルギー変わり正確な定量ができなくなることがある

※この「スパッタリング」の解説は、「二次イオン質量分析法」の解説の一部です。
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スパッタリング

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/06/30 21:08 UTC 版)

大気散逸」の記事における「スパッタリング」の解説

太陽風からもたらされる過剰な運動エネルギーは、大気中の粒子衝突して散逸させるのに十分なエネルギー与え場合がある。この過程は、固体表面からのスパッタリングの過程類似している磁気圏を持つ惑星では、太陽風中の荷電粒子進路磁場によって曲げられ大気粒子との衝突起こしにくくなるそのため、この種相互作用磁気圏持たない惑星において影響顕著である。スパッタリングは、後述の太陽風によるイオンピックアップ過程密接に関連している。 なお、スパッタリングを起こすには衝突する粒子エネルギーkeVオーダーであることが要求される。より低エネルギー粒子の場合はノックオン呼ばれる散逸発生する

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