半導体工学 半導体工学の概要

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半導体工学

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2023/01/01 21:16 UTC 版)

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設計

• 回路設計
  • CAD、EDA
• プロセス・デバイス構造の設計（シミュレーション）
  • TCAD（プロセスシミュレーション、デバイスシミュレーション）
• 製造用機器の設計

製造技術

• チョクラルスキー法
• ゾーンメルト法
• 拡散（熱拡散）・酸化（熱酸化）
• 蒸着
• スパッタリング
• スピンコート
• CVD（化学気相成長法）
• PVD（物理気相成長法）
• MBE（分子線エピタキシー法）
• エピタキシャル成長
• イオン注入
• フォトリソグラフィ（パターニング）
• エッチング
• FIB（focused ion beam）
• CMP（化学機械研磨）
• メタライズ（配線）
  • 多層配線
• 製造時の欠陥検出
  • テストパターン
  • 工程管理
• ダイシング
• パッケージング（組立）

半導体の物性・特性の測定手段

半導体の示す様々な物性は、研究開発や製造時の特性評価などにも利用されるほか、多くは半導体の用途にも深く関係する。

• 電気伝導度
• ホール効果
• PN接合やショットキー接合の特性：
  • 電流-電圧特性、空乏層容量、ゼーベック効果・ペルティエ効果、光起電力効果、エレクトロルミネセンス
• 組成や不純物：EDX、EPMA、SIMS、ICP
• 構造：光学顕微鏡、XRD、RBS、ラマン効果、SEM、TEM、AFM、XRF、SPM、SCM
• バンド構造など：光電効果・光電子分光、逆光電子分光、DLTS、フォトルミネセンス

製品の性能評価

• 電気的特性
  • DC特性
  • AC特性
• 寿命
• 信頼性

関連項目

• エレクトロニクス用語一覧

外部リンク

• 財団法人 新機能素子研究開発協会
• 社団法人 日本半導体製造装置協会

表 話 編 歴 半導体
分類	P型半導体 N型半導体 真性半導体 不純物半導体
種類	窒化物半導体 酸化物半導体 アモルファス半導体 磁性半導体 有機半導体
半導体素子	集積回路 マイクロプロセッサ 半導体メモリ TTL論理素子
バンド理論	バンド構造 バンド計算 第一原理バンド計算 伝導帯 価電子帯 禁制帯 フェルミ準位 不純物準位 自由電子 正孔 ドーパント ドナー アクセプタ 物性物理学
トランジスタ	バイポーラトランジスタ 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ 電界効果トランジスタ 薄膜トランジスタ MOSFET パワーMOSFET CMOS HEMT サイリスタ 静電誘導サイリスタ ゲートターンオフサイリスタ UJT
関連	ダイオード 太陽電池
関連項目	pn接合 ホモ接合 ヘテロ接合 単一ヘテロ接合 ダブルヘテロ接合 空乏層 金属半導体接合 ショットキー接合 オーミック接触 電子工学 パワーエレクトロニクス 電力用半導体素子 光エレクトロニクス 電子回路 増幅回路 高周波回路 半導体工学 半導体デバイス製造 金属 絶縁体 フィラデルフィア半導体指数
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