B環の合成とは? わかりやすく解説

B環の合成

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/08/05 01:25 UTC 版)

ダニシェフスキーのタキソール全合成」の記事における「B環の合成」の解説

B環下部接続は、A環部分を持つビニルリチウム 3021C環アルデヒド部位求核付加させることにより行われる生成物トリメチルシリル基 (TMS) をテトラブチルアンモニウムフルオリド (TBAF) で脱保護し、ケトン基再生して 31 を得る。次に二重結合のひとつをメタクロロ過安息香酸 (MCPBA) で酸化しエポキシド 32 とする。これをパラジウム炭素触媒存在下に水素化してジオール 33 とし、生成したヒドロキシ基ジメチルホルムアミド溶媒中でカルボニルジイミダゾール水素化ナトリウム使って環状炭酸エステル 34 として保護する。それら二つヒドロキシ基は、最終生成物であるタキソール一部分となる。 A環合成におけるヒドラゾンヨウ素化の際に予期せず生成していた 34アルケン部分は、水素化トリ-sec-ブチルホウ素リチウム (L-Selectride) で還元する得られ35ケトン部分は、テトラヒドロフラン (THF) 中、−78°Cでカリウムヘキサメチルジシラジド (KHMDS) と N,N-ビス(トリフルオロメチル)アニリンフェニルトリフルイミド)を作用させ、ビニルトリフラート 36変換される。これはヘック反応を行う際に必要となる官能基である。反応相手となる部位は以下のようにして調製する。上部アセタールピリジニウムパラトルエンスルホナート (PPTS) で脱保護してカルボニル基戻して 37 とし、メチレントリフェニルホスホランとのウィッティヒ反応末端アルケン 38変換する38分子内ヘック反応テトラキス(トリフェニルホスフィン)パラジウム(0)炭酸カリウム存在下、アセトン中で加熱還流することによって行う。この環化によってB環骨格できあがった (39)。 続いてA環C環架橋している、B環エチレン鎖上置換基適切なものに変える39架橋部分環外メチレン持っているが、最終的にはα-アシルケトンにしなければならない。これは以下の10段階の反応によって行われる。 まず 39保護基tert-ブチルジメチルシリル基 (TBDMS) をトリエチルシリル基 (TES) で置き換える (40)。次にA環二重結合MCPBAエポキシド 41変換する。このエポキシド環外アルケン修飾を施す間、保護基として働く。それから、役目終えたベンジル基 (Bn) をパラジウム炭素触媒用いた水素化脱保護し (42)、アセチル基 (Ac) で保護しなおして 43 とする(無水酢酸ジメチルアミノピリジンピリジン)。炭酸エステル 43フェニルリチウムで開環してアルファ-ヒドロキシ安息香酸エステル 44 とする。そして、ピリジン四酸化オスミウム環外メチレンをオスメートエステル 45 としたのち、酢酸鉛(IV)酸化的開裂おこしてケトン 46 へと変換する保護基であったエポキシド、はTHF中−78°Cでヨウ化サマリウム無水酢酸によってアルケン 47 に戻す。カリウム tert-ブトキシドを 47作用させエノラートとしておき、これにフェニルセレネン酸無水物反応させるヒドロキシケトンアシロイン48得られる。この反応二酸化セレンによるアリル基酸化類似するものである。最後にヒドロキシ基アセチル化して 49 とする。

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