強誘電体メモリ
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実用
世界で初めてFeRAMを実用化したのはレイコム・システムズである。それは256ビット品で非接触ICカードでの利用をターゲットとして開発された。
FeRAMは、従来広く用いられてきたEEPROMよりも、動作が高速で消費電力が低く、セルサイズも15F2と小さく[注釈 6]、フォトマスクの追加が少なくて済むなど半導体製造プロセスとの相性も良い。このため、2006年に富士通のFRAMがソニーのFelicaに採用され[10]るなど、少なくとも日本においては、既に一般生活において身近に普及している。
ただし、パーソナルコンピュータなどに搭載される主記憶装置の代替としては未だに実用化の目途は立っていない。
関連項目
- ユニバーサル・メモリ
- 強誘電体メモリ(FeRAM or FRAM)
- 強誘電体浮遊ゲートメモリ(FFRAM)
- 強誘電体メモリ(FeRAM or FRAM)
- 法人
- サイプレス・セミコンダクター
- ラムトロン・インターナショナル
- 理化学研究所
- 富士通
- 東芝
- ソニー
- サイプレス・セミコンダクター
- 環境基準
脚注
参考資料
- 石原宏 編『強誘電体メモリーの新展開』シーエムシー出版、2004年2月。ISBN 978-4-88231-819-4 。
- 田中均洋・三浦薫・磯辺千春 訳『強誘電体メモリ 物理から応用まで』シュプリンガー・フェアラーク東京、2003年11月1日。ISBN 978-4-43171-057-8 。
- 塩嵜忠・宮坂洋一・望月博・崎山恵三 編『強誘電体メモリ先端プロセス』サイエンスフォーラム、1999年9月13日。ISBN 978-4-916-16431-5 。
- 塩嵜忠・阿部東彦・武田英次・津屋英樹 編『強誘電体薄膜メモリ』サイエンスフォーラム、1995年6月 。
- 高須秀視・宅間俊則 編『FRAM ICカード技術』サイエンスフォーラム、1999年4月 。
- 塩嵜忠・阿部東彦・崎山恵三 編『強誘電体薄膜集積化技術』サイエンスフォーラム、1992年2月 。
- “FRAMとは”. 富士通. 2014年10月1日閲覧。
- “FRAMの品質・信頼性保証”. 富士通. 2014年10月1日閲覧。
- “AD00-00015-4.pdf” (PDF). 富士通セミコンダクター. 2014年10月1日閲覧。
- 小柳光正 編『次世代半導体メモリの最新技術』シーエムシー出版、2009年2月。ISBN 978-4-88231-992-4 。
- 小柳光正 編『次世代半導体メモリの最新技術』(普及版)シーエムシー出版、2013年9月6日。ISBN 978-4-7813-0735-0 。
- 堀内かほり. “次世代不揮発性メモリー 風変わりな記憶素子を使い高速・低消費電力を目指す (上)”. ITpro. 日経BP. 2003年10月8日閲覧。
- 堀内かほり. “次世代不揮発性メモリー 風変わりな記憶素子を使い高速・低消費電力を目指す (中)”. ITpro. 日経BP. 2003年10月8日閲覧。
- 堀内かほり. “次世代不揮発性メモリー 風変わりな記憶素子を使い高速・低消費電力を目指す (下)”. ITpro. 日経BP. 2003年10月9日閲覧。
外部リンク
- Cypress Semiconductor (英語)
- Ramtron | F-RAM & Semiconductor Technology | Wireless Memory (英語) 【旧】ラムトロン・インターナショナル
- Fujitsu Global (英語)
- Toshiba : Global Top Page (英語)
- Sony Global - Sony Global Headquarters (英語)
注釈
出典
- ^ “Cypress Semiconductor has acquired Ramtron International Corporation” (英語). 2014年3月7日閲覧。
- ^ “強誘電体メモリ「FeRAM」への呼称変更のお知らせ” (2022年6月28日). 2024年3月3日閲覧。
- ^ 「新不揮発性メモリChainFeRAM」(PDF)『東芝レビュー』第56巻第1号、東芝、2001年1月、51-54頁。
- ^ “Deterministic arbitrary switching of polarization in a ferroelectric thin film”. Nature Communications 5 (Nature Publishing Group) (4971). (2014-09-18). doi:10.1038/ncomms5971 .
- ^ 『強誘電体メモリー、超高密度化に道』(PDF)(プレスリリース)東北大学、2014年9月19日 。
- ^ “東北大、強誘電体メモリの記録密度を大幅に向上させる可能性を示す”. マイナビ. (2014年9月22日)
- ^ “Direct observation of oxygen stabilization in layered ferroelectric Bi3.25La0.75Ti3O12” (PDF). APPLIED PHYSICS LETTERS (American Institute of Physics) 91 (062913). (2007-09-10). doi:10.1063/1.2768906 .
- ^ (PDF) Direct observation of oxygen stabilization in layered ferroelectric Bi3.25La0.75Ti3O12. 理化学研究所. (2007-09-10) .
- ^ 『FeRAM用新強誘電体薄膜の低温成膜に成功』(プレスリリース)富士通、2001年3月30日 。
- ^ 『FRAM搭載LSIがFeliCa方式ICカードに採用』(プレスリリース)富士通、2006年11月7日 。
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