PLZTとは? わかりやすく解説

PLZT

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/10/12 03:10 UTC 版)

強誘電体メモリ」の記事における「PLZT」の解説

(Pb,La)(Zr,Ti)O3 他の分野での実用化進んでおり、成膜方法ノウハウ蓄積されている。 残留分極量が、配向依存して25μC/cm2から100μC/cm2と大きく高密度化適している。 結晶化温度550低く集積回路半導体製造プロセス相性良い人体有害な鉛が含まれているため、環境基準に対応できない高温処理に耐えられる白金や金などを電極用いると疲労現象著しくなり、107回以下の分極反転残留分極顕著に減少する。ただし、IrO2などの電極材料用いた場合1012回以上の分極反転にも耐えられる。 本材料系では、従前分極ドメインナノ構造化に拠って分極容易な軸の方向結晶対称性束縛され極軸自由に回転することが既に示されている。これは記録密度従来に対して2増大するという可能性示している。そして、2014年に、その分自由回転状態書き込み読み込み実証報告されている。

※この「PLZT」の解説は、「強誘電体メモリ」の解説の一部です。
「PLZT」を含む「強誘電体メモリ」の記事については、「強誘電体メモリ」の概要を参照ください。

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