材料系

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材料系

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2014/10/11 00:26 UTC 版)

「エコマテリアル」の記事における「材料系」の解説

実際の材料系では、上記の機能別の材料の中でそれぞれ鉄系、非鉄金属系、セラミックス系、ポリマー系、バイオマスなどがある。たとえば、鉛フリーはんだは、有害物質を含まない機能で非鉄金属系である。非鉄金属系には銀系、インジウム系なども挙げられる。

材料系

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/12/28 08:01 UTC 版)

「CeCoIn5」の記事における「材料系」の解説

CeCoIn5は、重い電子系化合物というファミリーの一員である 。CeIn3は、立方晶構造の重い電子系金属であり、10K未満では反強磁性を示す。外圧を加えると、CeIn3の反強磁性が継続的に抑制され、反強磁性量子臨界点付近の状態図に超伝導ドームが出現する 。CeCoIn5は、正方晶の結晶構造を有し、その結晶格子は、「CeIn3の結晶格子にCoIn2層が追加されている」と考えることができる。 CeCoIn5と密接に関連するのは、重い電子系材料CeRhIn5であり、CeCoIn 5と同じ結晶構造であり、4K以下で反強磁性を示す。ただし、CeRhIn5は周囲圧力で超伝導になることはないが、高圧で超電導となる。CeRhIn5の最大臨界温度は2 Kをわずかに超えるが、このときは2GPa前後という高圧が求められる。

材料系

出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2020/09/17 07:06 UTC 版)

「量子カスケードレーザー」の記事における「材料系」の解説

最初のQCLはInP基板に格子整合したGaInAs/AlInAs材料系で製造された。この材料系は520meVの伝導帯オフセット（量子井戸深さ）を有する。これらのInPベースのデバイスは中赤外線スペクトル範囲にわたり非常に高レベルの性能に達し、室温以上で高出力で連続波発光を達成する。 1998年、GaAs/AlGaAsのQCLが Sirtoriらにより実証され、量子カスケードの発想が1つの材料系に限定されないことを証明した。この材料系は障壁のアルミニウム率に依存して量子井戸深さが変化する。GaAsベースのQCLは中赤外線でInPベースのQCLの性能レベルと一致しないが、スペクトルのテラヘルツ領域で非常に成功していることが証明されている。[要出典] QCLの短波長限界は量子井戸深さにより決定され、近年では短波長発光を達成するために非常に深い量子井戸を有する材料系で開発されている。InGaAs/AlAsSb材料系は深さ1.6eVの量子井戸を有し3μmで発光するQCLを製造するために使われている[要出典]。 InAs/AlSbのQCLは2.1eVの量子井戸を有し、2.5μmの短波長でのエレクトロルミネセンスが観測されている。[要出典] QCLは伝統的に光学特性が悪いと考えられていた材料でのレーザー動作を可能にすることがある。シリコンのような間接バンドギャップ材料は異なる運動量の値で最小の電子および正孔エネルギーを有する。バンド間光学遷移についてはキャリアは遅い中間散乱過程により運動量を変化させ、光放出強度が劇的に低減する。しかしサブバンド間の光学遷移は伝導帯および価電子帯の最小値の相対運動量とは無関係であり、Si/SiGe量子カスケードエミッタの理論的提案がなされている。