2T2C型とは? わかりやすく解説

2T2C型

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/10/12 03:10 UTC 版)

強誘電体メモリ」の記事における「2T2C型」の解説

1T1C型同様にワード線に拠ってセル強誘電体キャパシター1を選択する書き込み同様にソースプレートの昇圧によって行なうが、この時に、対となっている強誘電体キャパシター2の電界効果トランジスタビット線にも時間差付けて昇圧する。このままではソースプレートを降圧した時点で対となっている側の強誘電体キャパシター2には負の電圧印加されるため、書き込み意図している強誘電体キャパシター1とは逆方向残留分極発生する。こうして互いに異な向き分極形成されるため、「0・1」または「1・0」という組み合わせデータを表す。 読み出し時も同様にワード線とソースプレートを昇圧して、ビット線のどちらの電圧変化大きいか(どちらに変位電流流れるか)を測定することでデータ判定する。なお、この時に方向分極を持つ強誘電体キャパシター1でも電圧変化するのは分極微小変位よるものである。また、読み出し時に強誘電体キャパシター2のワード線より先にソースプレートを降圧すると、負の電圧印加されて再書き込みが行なわれ、読み出し時のデータ破壊防げる。

※この「2T2C型」の解説は、「強誘電体メモリ」の解説の一部です。
「2T2C型」を含む「強誘電体メモリ」の記事については、「強誘電体メモリ」の概要を参照ください。

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