プラズマエッチングとは? わかりやすく解説

Weblio 辞書 > 辞書・百科事典 > デジタル大辞泉 > プラズマエッチングの意味・解説 

プラズマ‐エッチング【plasma etching】


プラズマエッチング

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/06/18 15:58 UTC 版)

エッチング (微細加工)」の記事における「プラズマエッチング」の解説

ドライエッチング」も参照 現代VLSIプロセスではウェットエッチング避け代わりにプラズマエッチングを使用する。プラズマエッチャーは、プラズマパラメータ調整することによりいくつかのモード動作することができる。通常のプラズマエッチングは0.1~5Torr(この圧力単位真空工学一般的に使われ、1Torrは約133.3Paである)で動作するプラズマは、エネルギーの高い中性帯電したフリーラジカル生成しウェハー表面反応する中性粒子あらゆる角度からウェハー攻撃するため、このプロセス等方性である。 プラズマエッチングは等方性(すなわち、パターン化され表面下向きエッチング速度とほぼ同じ側面アンダーカット速度を示す)にも、異方性(すなわち、下向きエッチング速度よりも小さ側面アンダーカット速度を示す)にもなりうる。このような異方性は、深掘りRIE最大化される。プラズマエッチングに対して使われる異方性という用語は、方位依存性エッチングを指すときに使われる同じ用語と混同すべきではない。 プラズマのソースガスには通常塩素フッ素豊富な小分子含まれている。例えば、四塩化炭素 (CCl4) はシリコンアルミニウムエッチングし、トリフルオロメタン二酸化ケイ素窒化ケイ素エッチングする。酸素を含むプラズマは、フォトレジスト酸化しプラズマ灰化)その除去促進するイオンミリングまたはスパッタエッチングでは低圧力、多く10−4 Torr(10 mPa)が使われる希ガス多くAr+)のエネルギーの高いイオンウェハー衝突させることで、運動量移動させ基板から原子たたき出すエッチングはほぼ一方向からウェハー近づくイオンにより行われるため、このプロセスは高い異方性がある。その一方選択性は低い傾向がある。反応性イオンエッチング(RIE)は、スパッタエッチングとプラズマエッチングの間の条件10−310−1 Torr)で動作する深掘りRIE(DRIE)は、RIE技術改良し深く狭い形を作る

※この「プラズマエッチング」の解説は、「エッチング (微細加工)」の解説の一部です。
「プラズマエッチング」を含む「エッチング (微細加工)」の記事については、「エッチング (微細加工)」の概要を参照ください。

ウィキペディア小見出し辞書の「プラズマエッチング」の項目はプログラムで機械的に意味や本文を生成しているため、不適切な項目が含まれていることもあります。ご了承くださいませ。 お問い合わせ


英和和英テキスト翻訳>> Weblio翻訳
英語⇒日本語日本語⇒英語
  

辞書ショートカット

すべての辞書の索引

「プラズマエッチング」の関連用語

プラズマエッチングのお隣キーワード
検索ランキング

   

英語⇒日本語
日本語⇒英語
   



プラズマエッチングのページの著作権
Weblio 辞書 情報提供元は 参加元一覧 にて確認できます。

   
デジタル大辞泉デジタル大辞泉
(C)Shogakukan Inc.
株式会社 小学館
ウィキペディアウィキペディア
Text is available under GNU Free Documentation License (GFDL).
Weblio辞書に掲載されている「ウィキペディア小見出し辞書」の記事は、Wikipediaのエッチング (微細加工) (改訂履歴)の記事を複製、再配布したものにあたり、GNU Free Documentation Licenseというライセンスの下で提供されています。

©2024 GRAS Group, Inc.RSS