ドライエッチングとは? わかりやすく解説

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ドライ‐エッチング【dry etching】

読み方:どらいえっちんぐ

半導体集積回路などの微細回路作製する際、プラズマガスやイオン用いて不必要な部分取り去ること。乾式エッチング。→エッチング3プラズマエッチング


ドライエッチング

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2023/07/17 17:04 UTC 版)

ドライエッチング英語:dry etching)は、反応性の気体(エッチングガス)やイオンラジカルによって材料をエッチングする方法である。主に化学的な反応によるエッチングを指し、反応による生成物は気体である場合が多い。これに対して液体によるエッチングをウエットエッチングと呼ぶ。イオンミリングなどのようにイオンを衝突させてエッチングする方法など化学的な反応を伴わないものは物理エッチングと呼ぶ場合もある。実際には化学的な反応と物理的な変化が同時に起こっている。

反応ガス中に材料を曝す方法(反応性ガスエッチング)とプラズマによりガスをイオン化・ラジカル化してエッチングする反応性イオンエッチングがある。

シリコンをエッチングする場合は、フッ素系のガスを用いる場合が多い。この場合にできる生成物は四フッ化ケイ素 (SiF4) である。

半導体の製造においては、ドライエッチングの工程でそれにふさわしい特性を持つ冷媒が必要であり、3M社が販売するフロリナートなど、近年健康や環境への影響が問題視されているPFASと呼ばれる物質を含むものが使用されている。3M社はこの問題から2025年末をもってPFASの生産を廃止する予定となっており、2025年末までにPFASを用いない代替冷媒が発明されなければ、世界中の半導体の製造が停止し、現在の人類文明が終焉を迎えてしまう可能性が指摘されている[1][2]

特徴

種類

  • 反応性ガスエッチング
  • 反応性イオンエッチング
  • 反応性イオンビームエッチング
  • イオンビームエッチング
  • 反応性レーザービームエッチング

主なエッチングガス

反応性イオンエッチングに使われるもの

反応性ガスエッチングに使われるもの

  • 二フッ化キセノン (XeF2)

関連項目

脚注


ドライエッチング

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/04/30 00:49 UTC 版)

エッチング」の記事における「ドライエッチング」の解説

詳細は「ドライエッチング」を参照 四フッ化炭素などのガス使用する

※この「ドライエッチング」の解説は、「エッチング」の解説の一部です。
「ドライエッチング」を含む「エッチング」の記事については、「エッチング」の概要を参照ください。

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