固体素子とは? わかりやすく解説

固体素子

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/05/22 05:54 UTC 版)

負性抵抗」の記事における「固体素子」の解説

半導体における負性微分抵抗は、1909年ごろにウィリアム・エクルズG・Wピカード などによって最初の点接触型ダイオードである「ネコのひげ型」検波器で見つかっていた。エクルズらは無線検出器としての感度向上させるために接合直流電圧バイアスすると自発的な発振起きることに気づいていたが、この効果深く追求されなかった。 負性抵抗ダイオード実用に供した最初の人物はロシア人無線研究者オレク・ロシェフである。ロシェフは1922年バイアスをかけた紅亜鉛鉱英語版)(酸化亜鉛)の点接触接合が負性微分抵抗を持つことを見出し、これを利用して増幅器発振器、また再生増幅機能備えた無線受信機固体デバイス作成したトランジスタ発明され25年前のことである。後にはスーパーヘテロダイン受信機構築しさえした。しかしこれらの業績真空管技術興隆覆い隠された。ロシェフは10年のうちに研究放棄し、この技術ヒューゴー・ガーンズバックによって「クリストダイン」と名付けられた)は忘れられた。 最初に広く使用されるようになった固体負性抵抗デバイスは、1957年日本人物理学者江崎玲劣奈が発明したトンネルダイオードである。この種のダイオード接合サイズ小さいことから寄生容量低く、そのためより高い周波数動作し通常の真空管発振器限界超えるマイクロ波周波数電力発生できるものだったトンネルダイオード登場によりマイクロ波発振器用いるための負性抵抗半導体デバイス探求され始め、IMPATTダイオードガンダイオード、TRAPATTダイオードなどが生み出されていった1969年黒川兼行負性抵抗回路安定性に関する条件導出した。現在マイクロ波エネルギー発生源としては負性微分抵抗ダイオード発振器が最も広く利用されており、ここ数十年でも多く新し負性抵抗素子が見つかっている。

※この「固体素子」の解説は、「負性抵抗」の解説の一部です。
「固体素子」を含む「負性抵抗」の記事については、「負性抵抗」の概要を参照ください。

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