パワーダウン (Power Down)
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/03/26 10:16 UTC 版)
「DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション」の記事における「パワーダウン (Power Down)」の解説
DDR3 SDRAMはCKEをローに落とすことでパワーダウン(省電力モード)に入る。ただしMRSコマンド入力中、MPR動作中、ZQCAL実行中、DLLロック中、リード/ライト動作中、CKEをローに落としてはならない。ローアドレスをアクティブ (Active) にしている最中、プリチャージ (precharge) やオートプリチャージ (auto precharge) 中、リフレッシュ (refresh) 中はCKEをローに落としてもかまわない。ただしパワーダウンの電流スペックはこれらの操作が終わっていることを前提にしているので、電流スペックを満たさないかもしれない。 パワーダウン時にDLLを解除してしまうスローイグジットモード (Slow Exit Mode) を使用するとパワーダウンから抜けたときにリードやODTの同期のために再度DLLをリセットしなければならないのでパワーダウンから抜けたときに素早く復帰するにはDLLはロックしたままのファストイグジットモード (Fast Exit Mode) を使用すべきである。 実行中のコマンドが全て完了した段階で全てのバンクがプリチャージされてからパワーダウンに入ることをプリチャージパワーダウン (precharge power Down) といい、いずれかのバンクがアクティブのままパワーダウンに入ることをアクティブパワーダウン (active power down) という。 パワーダウンに入るとCK, CK#, ODT, CKE, RESET#を除く全ての入力・出力が不活性になる。パワーダウンに入ってからtCPDED期間はNOPかDESLコマンドしか入力してはならない。tCPDED経過後、コマンドやアドレスは不活性になる。 パワーダウン状態MR0:A12DLLパワーダウンの終了関係するパラメタ1つ以上のバンクがアクティブ 無効 オン 早い tXP経過後にコマンド入力可能 全バンクプリチャージ後 0 オフ 遅い tXP経過後にACT, AR, MRS, PRE, PALL入力可能。 tXPDLL経過後にDLLコントロールの必要なREAD, READAなどのコマンド入力やODTコントロールが可能。 全バンクプリチャージ後 1 オン 早い tXP経過後にコマンド入力可能 プリチャージパワーダウンのスローイグジットモードはDLLを解除するが、プリチャージパワーダウンのファストイグジットモードを利用するか、アクティブパワーダウンを利用する場合、DLLを解除しないのでパワーダウンからの復帰は早い。パワーダウン中はCKE ロー、RESET ハイ、安定したクロック入力、有効な状態のODTを維持しなければならない。その他の入力ピンは無効である。RESET#がローになった場合、パワーダウンは解除され、デバイスはリセットされる。 パワーダウンはCKE ハイに同期して終了する。CKE ハイはtCKE期間維持されなければならない。CKEがハイになってからtXPまたはtXPDLL経過後にコマンド入力が可能になる。 ただしCL=5、AL=0、Dout nはCol nに対応して読み出されたデータである。バーストチョップを使用してもリードコマンドからパワーダウンエントリを入力できるようになるまでの時間:tRPDENは変わらない。 ただしCWL=5、AL=0、Din nはCol nに対応して書き込まれるデータである。オートプリチャージ付ライトコマンドの入力時にはデータの書き込み完了からWRサイクル間はパワーダウンすることはできない。バーストチョップを使用してもWRの起点となるサイクルは変わらない。 ただしCWL=5、AL=0、Din nはCol nに対応して書き込まれるデータである。ライトコマンドの入力時にはデータの書き込み完了からtWR期間経過後からパワーダウンできる。バーストチョップを使用してもtWRの起点となるサイクルは変わらない。 アクティブパワーダウンまたはファストイグジットモードでパワーダウンしている場合はパワーダウンイグジットからtXP経過後にコマンド入力が可能になる。スローイグジットモードでパワーダウンしている場合はDLLの再ロックのためにtXPDLL経過後にコマンド入力が可能になる。ただしこの場合でもDLLリセットコマンドの入力は不要である。 オートリフレッシュコマンドからtREFPDEN経過後、パワーダウンできる。 アクティブコマンドからtACTPDEN経過後、パワーダウンできる。 プリチャージコマンドからtPRPDEN経過後、パワーダウンできる。 MRSコマンドからtMRSPDEN経過後、パワーダウンできる。 パワーダウン終了からtCKE経過後、再度パワーダウンできる。 パワーダウン終了後、オートリフレッシュコマンドを入力して再度パワーダウンするとき、パワーダウン終了からtXPDLL経過後、再度パワーダウンできる。 オートリフレッシュコマンド入力後パワーダウンしたとき、リフレッシュコマンドからtRFC経過後かつパワーダウン終了からtCKE経過後、コマンド入力が有効になる。 パワーダウン中にクロック周波数(おそらく位相変化を含む)を変更した場合、パワーダウン終了からtXP経過後にDLLリセットを行わなければならない。
※この「パワーダウン (Power Down)」の解説は、「DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション」の解説の一部です。
「パワーダウン (Power Down)」を含む「DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション」の記事については、「DDR3 SDRAMにおけるコマンドとオペレーション」の概要を参照ください。
- パワー・ダウンのページへのリンク