データアクセスの方法とは? わかりやすく解説

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データアクセスの方法

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/11/03 03:53 UTC 版)

Dynamic Random Access Memory」の記事における「データアクセスの方法」の解説

DRAMメモリセル指定するためのアドレスデータ線は、行アドレスと列アドレスとで共通になっていて、行アドレスと列アドレス時分割設定するようになっているメモリ番地のうち、行アドレス上位ビット部分割り当て、列アドレスは、下位ビット割り当てて使用する。アドレスデータ線にどちらのデータ加えられているかを区別するために、RAS (row address strobe) およびCAS (column address strobe) と呼ばれる信号用いる。行アドレスデータを確定した状態でRAS信号アクティブにすることで、RAS信号変化点での状態を素子に行アドレスとして認識させるRAS信号アクティブな状態のまま、引き続き列アドレスデータに切り替えてCAS信号アクティブにし、CAS信号変化点での状態を素子に列アドレスとして認識させ、必要とするアドレスデータアクセス完了するデータアクセス高速化のため、同じ行アドレスで列アドレスが違うデータ次々読み書きする方法考案されており、これをページモードと呼ぶ。 ページモードは、高速ページモード (fast page mode)からEDO(extended data outEDO DRAM)へと進歩した。そして、21世紀以降synchronous DRAM (SDRAM) と呼ばれる、行アドレス内容同期転送バーストモード)で高速入出力する機構搭載したものが主流となっている。全く工夫のないDRAMでは100nsec以上かかっていたものが、これらのDRAMでは2.5nsec前後まで高速化されている。ただし、列・行アドレス共に指定してセットアップ・プリチャージの時間を含むアクセスタイム自体は、それほど短縮されておらず、この10年間で1/3程度高速化されただけである。 また、異なアドレス対す読み書き同時に2つポートから擬似的に行うことができるDual Port DRAMがある。PCでは画像表示用のVRAMやCPU-GPU間共有メモリ用いられたり、あるいは互換性のないマルチプロセッサ構成PCワークステーション、PCI-PCI間メモリ転送デバイスなどの用途使われる

※この「データアクセスの方法」の解説は、「Dynamic Random Access Memory」の解説の一部です。
「データアクセスの方法」を含む「Dynamic Random Access Memory」の記事については、「Dynamic Random Access Memory」の概要を参照ください。

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