調査とテクノロジー・デモとは? わかりやすく解説

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調査とテクノロジー・デモ

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2021/11/09 21:02 UTC 版)

5ナノメートル」の記事における「調査とテクノロジー・デモ」の解説

2006年KAIST国立ナノファブセンターの研究チームは、従来finFET技術に基づく世界最小のナノエレクトロニクスデバイスである3nmトランジスタ共同開発した。当時作られた中で最小トランジスタであった2008年薄さが1原子、幅が10原子トランジスタイギリス研究者によって作られた。将来コンピュータ基礎としてシリコン代替可能性があるグラフェンから作られた。グラフェンハチの巣状構造カーボン平面シートから作られ有力な候補である。マンチェスター大学チーム当時最小トランジスタ作るためにグラフェン用いた。そのデバイス数個炭素リング含み、の大きさ1nmであった2010年オーストラリアチームは7個の原子からなる長さ4nm単機トランジスタ作製した2012年忠北大学校チーム2nmトランジスタ作製した。 (十分に大きな電極間の)シリコン表面束縛されリン原子用いた原子トランジスタ英語版)が作製された 。このトランジスタ360ピコメートルトランジスタと呼ばれた。これはリン原子ファンデルワールス半径の2倍であり、シリコンまでの共有結合半径はより小さい 。これより小さなトランジスタ作るには、より原子半径小さ元素を使うか、電子陽子などの亜原子粒子用い必要がある2016年バークレー研究所研究者1nmゲートトランジスタ作製した 。この電界効果トランジスタは、チャネル材料としてMoS2用い、またカーボンナノチューブチャネル反転させるために用いられた。有効チャネル長は約1nmである。しかしドレイン-ソース・ピッチはもっと大きく、マイクロメートルサイズである。 2018年カールスルーエ工科大学研究者は単原子ゲートトランジスタ作製した

※この「調査とテクノロジー・デモ」の解説は、「5ナノメートル」の解説の一部です。
「調査とテクノロジー・デモ」を含む「5ナノメートル」の記事については、「5ナノメートル」の概要を参照ください。

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