サムコの技術とは? わかりやすく解説

サムコの技術

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2022/06/16 01:22 UTC 版)

サムコ」の記事における「サムコの技術」の解説

LS-CVD(Liquid Source Chemical Vapor Deposition液体ソースCVD) - カソードカップリング方式プラズマCVD装置SiH4比べて安全な液体原料TEOS気化させ、プラズマ中のイオン利用できる。そして、カソード側のシース電界得られるイオンエネルギーを制御することで、応力、膜密度などを制御しカバレージ性が得られるカソード方式では、自己バイアスによるイオンアシストで成膜するため、アノード方式比べ低温下での成膜が可能。 トルネードICP - ICPエッチング装置中核となるコイル部分3次元構造にしたICPコイルコイル配置自由度持たせることで、高均一なプラズマ生成することができる。GaNGaAsInPなどの化合物半導体加工から、Si各種金属薄膜加工が可能。 ボッシュプロセス - 等方性エッチング保護膜の堆積二つステップ交互に繰り返すことで、シリコン深掘り高速かつ高アスペクト比実現したエッチング技術エッチングにはSF6保護膜にはC4F8が主に使用され、高い選択比を保持し、高異方性エッチング可能にする。サムコドイツロバート・ボッシュ社によって1992年開発されボッシュプロセスライセンスを、2003年サムコ日本半導体製造装置メーカー初め取得したボッシュプロセスは、加速度センサージャイロセンサー等の自動車部品分野μTAS等の医療機器分野3次元デバイス等のMEMS市場幅広く使用されている。

※この「サムコの技術」の解説は、「サムコ」の解説の一部です。
「サムコの技術」を含む「サムコ」の記事については、「サムコ」の概要を参照ください。

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