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窒化物半導体
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2009/05/09 01:26 UTC 版)
窒化物半導体 (ちっかぶつはんどうたい) は、III-V族半導体に於いて、V族元素として窒素を用いた半導体。窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)が代表である。窒化アルミニウムは絶縁体ではあるが、同列に論じられる。
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- 2 窒化物半導体の概要
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