窒化物半導体とは?

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窒化物半導体

出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2016/12/15 09:18 UTC 版)

窒化物半導体 (ちっかぶつはんどうたい) は、III-V族半導体に於いて、V族元素として窒素を用いた半導体窒化アルミニウム(AlN)、窒化ガリウム(GaN)、窒化インジウム(InN)が代表である。窒化アルミニウムは絶縁体ではあるが、同列に論じられる。




  1. ^ http://www.ntt.co.jp/journal/0503/files/jn200503058.pdf 新しい窒化物半導体デバイス,牧本俊樹,NTT物性科学基礎研究所,NTT技術ジャーナル,2005年3月
  2. ^ 日経エレクトロニクス 中道理 (2012年7月30日). “パナソニック、植物並みの効率の人工光合成を窒化物半導体で実現”. 日本経済新聞. http://www.nikkei.com/article/DGXNASFK30032_Q2A730C1000000/ 2012年7月31日閲覧。 
  3. ^ 窒化物半導体の光電極による人工光合成システムを開発”. パナソニック プレスリリース. 2012年7月31日閲覧。


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