プロセスによる分類
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2021/11/06 05:55 UTC 版)
拡散接合形 半導体基板に拡散やイオン注入などで不純物を含ませるものである。 エピタキシャル形 低い抵抗値の半導体基板の表面に薄い高抵抗の結晶層を形成するものである。 SOI (silicon on insulator) 詳細は「SOI」を参照 絶縁体上にシリコンのプレーナ形半導体素子を形成する技術である。絶縁体上の薄膜を利用するので、基板下部からの漏れ電流が少なく、耐放射線性能が向上する。システム液晶ディスプレイ・漏れ電流が少なく高速動作が可能なCMOS-IC・高耐圧MOS-IC・耐放射線素子の製作に使用される。絶縁体には人工的に作られたサファイアが使われることもある(silicon on sapphire:SOS)。@media screen{.mw-parser-output .fix-domain{border-bottom:dashed 1px}}絶縁体に熱伝導性の高いダイヤモンド基板を使った素子は大出力発光ダイオードで2015年現在一般的であり、特に超高温となる半導体レーザーは耐熱性の高い窒化物半導体とダイアモンド基板のペアで製造される物が主流である。[要出典]
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