技術的に重要な種類のコンタクト
出典: フリー百科事典『ウィキペディア（Wikipedia）』 (2019/05/21 15:15 UTC 版)
「オーミック接触」の記事における「技術的に重要な種類のコンタクト」の解説
シリコンへの現代的なオーミック接触は、通常CVDで作られたシリサイド（ケイ化物）である。チタン-タングステン二ケイ化物などが用いられる。接触は遷移金属を堆積を作ることで作られ、アニーリングによってシリサイドが作られた結果、シリサイドは非化学量論的となる。シリサイド接触は、化合物の直接スパッタリングや、遷移金属のイオン注入の後にアニーリングをすることでも堆積することができる。シリコンにおける別の重要な接触金属としてアルミニウムがあり、n型またはp型半導体で用いられる。他の反応性が高い金属と同様に、アルミニウムも自然酸化物中の酸素を消費することで接触が形成する。シリサイドがアルミニウムにほとんど取って代わった理由の一つとして、耐熱性の高い材料は特にその後の高温プロセスにおいて意図していない領域へ拡散しにくいことがある。 化合物半導体への接触の形成は、シリコンよりもかなり難しい。例えばGaAsの表面はヒ素を失う傾向があり、Asを失う傾向は金属の堆積によってかなり悪化させられる。さらにAsの揮発性は、GaAsデバイスが耐えられる堆積後のアニーリングの温度を制限する。GaAsやその他の化合物半導体での一つの解決策は、高濃度にドープした層とは対照的に、バンドギャップの小さい合金接触層を堆積することである。例えばGaAs自身はAlGaAsよりもバンドギャップが小さく、よって表面近くのGaAs層はオーム性の振る舞いを促進する。一般的にIII-V族半導体やII-VI族半導体でのオーミック接触の技術は、シリコンよりも発展していない。 材料コンタクト材料Si Al, Al-Si, TiSi2, TiN, W, MoSi2, PtSi, CoSi2, WSi2 Ge In, AuGa, AuSb GaAs AuGe, PdGe, PdSi, Ti/Pt/Au GaN Ti/Al/Ni/Au, Pd/Au InSb In 酸化亜鉛 InSnO2, Al CuIn1−xGaxSe2 Mo, InSnO2 テルル化カドミウム水銀 In 透明または半透明な接触は、アクティブマトリックス液晶ディスプレイ、レーザーダイオードや太陽電池などの光エレクトロニックデバイスで必要となる。最も有名な選択は、酸化物雰囲気でIn-Snターゲットの反応性スパッタリングによって形成される酸化インジウムスズである。
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