II-VI族半導体
出典: フリー百科事典『ウィキペディア(Wikipedia)』 (2023/05/07 02:35 UTC 版)
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II-VI族半導体(にろくぞくはんどうたい)は、II族元素とVI族元素を用いた半導体である。II族元素(第2族元素・第12族元素)としてはマグネシウム(Mg)・亜鉛(Zn)・カドミウム(Cd)・水銀(Hg)が、VI族元素(第16族元素)としては酸素(O)・硫黄(S)・セレン(Se)・テルル(Te)をよく用いる。
これらを組み合わせて、酸化亜鉛(ZnO)・テルル化カドミウム(CdTe)・セレン化亜鉛(ZnSe)などを作製する。
特徴
II-VI族半導体はイオン結晶性が強く、固いがもろいものが多い。また、組成を変えることでバンドギャップを大きく変化させられる。可視光線や赤外線領域に相当するバンドギャップを持つ半導体は、発光素子・受光素子の材料として用いられている。
関連項目
II-VI族半導体と同じ種類の言葉
半導体に関連する言葉 | 単機能半導体(たんきのうはんどうたい) 磁性半導体 IIVI族半導体 N形半導体(エヌがたはんどうたい) IIIV族半導体 |
導体に関連する言葉 | 磁性半導体 フェアチャイルド半導体 IIVI族半導体 イットリウム系高温超伝導体 電子伝導体 |
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